单晶SiC集群磁流变研磨加工工艺实验研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| CONTENTS | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-24页 |
| ·课题的来源和意义 | 第13-15页 |
| ·课题的来源 | 第13页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第13-15页 |
| ·SiC晶片超精密加工技术综述 | 第15-23页 |
| ·SiC晶片的超精密切削 | 第15-16页 |
| ·SiC晶片的超精密磨削 | 第16-18页 |
| ·SiC晶片的的研磨与抛光 | 第18-22页 |
| ·SiC晶片的的复合加工方法 | 第22-23页 |
| ·本文主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 集群磁流变研磨加工原理及研究方法 | 第24-31页 |
| ·集群磁流变研磨加工原理 | 第24页 |
| ·试验条件 | 第24-27页 |
| ·试验材料 | 第24-25页 |
| ·试验装置介绍 | 第25-27页 |
| ·其他装置及设备 | 第27页 |
| ·检测方法及评价指标 | 第27-30页 |
| ·磁场强度测量 | 第27页 |
| ·粒度检测 | 第27-28页 |
| ·材料去除率 | 第28-29页 |
| ·表面粗糙度 | 第29页 |
| ·表面形貌 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 单晶SiC集群磁流变研磨工艺探索研究 | 第31-47页 |
| ·前期研究工作及相关问题 | 第31-33页 |
| ·均匀无划痕晶片研磨研究 | 第33-42页 |
| ·贴片方式对单晶SiC加工的均匀性影响分析 | 第33-39页 |
| ·弹性衬垫性能对单晶SiC加工效果的影响分析 | 第39-42页 |
| ·单晶SiC集群磁流变研磨方法可行性研究 | 第42-45页 |
| ·试验设计 | 第42-43页 |
| ·不同研磨方法对单晶SiC材料去除率的影响 | 第43页 |
| ·不同研磨方法对单晶SiC表面粗糙度值的影响 | 第43-44页 |
| ·不同研磨方法对单晶SiC表面形貌的影响 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 单晶SiC集群磁流变研磨工艺研究 | 第47-67页 |
| ·磨粒约束试验 | 第47-53页 |
| ·磁场吸附铁粉特点 | 第47-50页 |
| ·磨粒约束形式 | 第50-52页 |
| ·粒径匹配试验 | 第52-53页 |
| ·单因素试验 | 第53-59页 |
| ·铁粉浓度对单晶SiC加工效果的影响 | 第53-55页 |
| ·磁场强度对单晶SiC加工效果的影响 | 第55-56页 |
| ·研磨压力对单晶SiC加工效果的影响 | 第56-57页 |
| ·磨粒粒径对单晶SiC加工效果的影响 | 第57-58页 |
| ·双氧水添加对单晶SiC加工效果的影响 | 第58-59页 |
| ·工艺参数正交试验 | 第59-65页 |
| ·试验设计与试验条件 | 第59-60页 |
| ·试验结果 | 第60-62页 |
| ·工艺参数对材料去除率的影响 | 第62-63页 |
| ·工艺参数对表面粗糙度Ra的影响 | 第63-65页 |
| ·综合分析 | 第65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
