| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·锁模技术 | 第7-9页 |
| ·被动锁模理论 | 第9-12页 |
| ·SESAM的出现及影响 | 第12-14页 |
| 第二章 半导体可饱和吸收反射镜技术 | 第14-22页 |
| ·可饱和吸收体和SESAM | 第14页 |
| ·Q调制锁模 | 第14-15页 |
| ·群速色散与自相位调制 | 第15-18页 |
| ·SESAM的类型 | 第18-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 1064纳米SESAM的设计 | 第22-31页 |
| ·布拉格反射镜的设计与模拟 | 第22-23页 |
| ·布拉格反射镜的电场分布模拟 | 第23-24页 |
| ·吸收层厚度计算 | 第24-27页 |
| ·可饱和吸收镜的电场模拟 | 第27-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 半导体可饱和吸收镜的动态特性分析 | 第31-38页 |
| ·高精准宽动态范围非线性反射率测量 | 第31-33页 |
| ·实验设备的校准与调整 | 第33-34页 |
| ·模式函数 | 第34-35页 |
| ·非饱和损耗 | 第35页 |
| ·非线性引起的吸收 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 总结 | 第38-39页 |
| 致谢 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |