| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第1章 石墨烯简介 | 第13-48页 |
| ·单层石墨烯的发现 | 第13-14页 |
| ·石墨烯的基本性质 | 第14-19页 |
| ·石墨烯的制备方法 | 第19-24页 |
| ·机械剥离法 | 第19页 |
| ·外延生长 | 第19-20页 |
| ·化学气象沉积 | 第20-24页 |
| ·石墨烯的表征方法 | 第24-40页 |
| ·石墨烯的拉曼光谱表征 | 第24-28页 |
| ·石墨烯的透射电子显微镜表征 | 第28-30页 |
| ·石墨烯的扫描隧道显微术表征 | 第30-40页 |
| ·扫描隧道显微术简介 | 第30-35页 |
| ·扫描隧道显微术研究石墨烯的现状 | 第35-40页 |
| ·本论文的研究工作 | 第40-43页 |
| ·本论文中主要所使用的实验仪器 | 第40-41页 |
| ·本论文中所采用的实验方法 | 第41-42页 |
| ·本论文的研究工作 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-48页 |
| 第2章 石墨烯中有序和无序畴界的结构和电子学性质研究 | 第48-81页 |
| ·研究背景 | 第48-55页 |
| ·范霍夫奇异性简介 | 第48-50页 |
| ·石墨烯畴界的研究现状 | 第50-55页 |
| ·石墨烯中有序畴界的结构和电子学性质的STM研究 | 第55-70页 |
| ·(3,1)|(1,3)畴界 | 第55-61页 |
| ·(2,0)|(2,0)畴界 | 第61-68页 |
| ·内嵌有序畴界的GNR模型 | 第68-70页 |
| ·石墨烯中无序畴界的结构和电子学性质的STM研究 | 第70-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 第3章 应力结构对石墨烯能带的调控效应的STM研究 | 第81-100页 |
| ·(1,0)位错中的面外皱褶及打开能隙的STM研究 | 第81-91页 |
| ·背景简介 | 第81-82页 |
| ·(1,0)位错的原子级结构和电子学行为的STM研究 | 第82-90页 |
| ·(1,0)位错的STM研究的小结 | 第90-91页 |
| ·石墨烯中三重折叠的皱褶中的朗道量子化现象 | 第91-98页 |
| ·背景简介 | 第91页 |
| ·石墨烯三重折叠的皱褶的STM研究 | 第91-97页 |
| ·石墨烯三重折叠的皱褶的STM研究的小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-100页 |
| 第4章 氮掺杂对石墨烯的结构和电子学性质的调控 | 第100-135页 |
| ·研究背景 | 第100-103页 |
| ·采用气体源制备氮掺杂石墨烯及其表征 | 第103-123页 |
| ·采用气体源制备氮掺杂石墨烯的方法 | 第103-108页 |
| ·确定氮掺杂石墨烯中不同N缺陷的结构和电子学性质 | 第108-122页 |
| ·宏观表征手段研究氮掺杂石墨烯 | 第109-115页 |
| ·STM/STS研究氮掺杂石墨烯 | 第115-122页 |
| ·采用气体源制备氮掺杂石墨烯的小结 | 第122-123页 |
| ·采用液态源吡啶制备氮掺杂石墨烯及其表征 | 第123-130页 |
| ·采用吡啶源制备氮掺杂石墨烯的方法 | 第123-125页 |
| ·吡啶源制备的单层氮掺杂石墨烯的STM/STS表征 | 第125-130页 |
| ·本章小结 | 第130-131页 |
| 参考文献 | 第131-135页 |
| 第5章 石墨烯中空位缺陷的电子学性质的STM研究 | 第135-147页 |
| ·背景介绍 | 第135-137页 |
| ·石墨烯中空位结构的制备与表征 | 第137-145页 |
| ·本章小结 | 第145-146页 |
| 参考文献 | 第146-147页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第147-149页 |
| 致谢 | 第149-150页 |
