| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·研究双自电离过程的背景和意义 | 第10-12页 |
| ·双自电离过程研究的历史发展和现状 | 第12-16页 |
| ·研究双自电离过程的主要理论方法 | 第16-17页 |
| ·本文的主要内容和方法 | 第17-19页 |
| 第二章 理论方法 | 第19-28页 |
| ·微扰理论下的双自电离速率 | 第19-23页 |
| ·全相对论哈密顿量 | 第19-20页 |
| ·自由电子波函数的计算 | 第20-21页 |
| ·微扰理论 | 第21-23页 |
| ·双自电离过程的三种机制 | 第23-25页 |
| ·Shake-off 机制 | 第23-24页 |
| ·Knock-out 机制 | 第24-25页 |
| ·Cascade 机制 | 第25页 |
| ·等离子体辐射不透明度计算方法 | 第25-28页 |
| 第三章 2p 空洞态自电离宽度对开 M 壳层锗等离子体 L 壳层吸收谱的影响 | 第28-37页 |
| ·2p 空洞态自电离宽度对锗等离子体 L 壳层吸收谱线的影响 | 第28-34页 |
| ·2p 空洞态自电离宽度对锗等离子体辐射不透明度的影响 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 氖等核序列双自电离过程的研究 | 第37-47页 |
| ·Ne~(+)1s2s~(2)2p~6双自电离过程的研究 | 第37-42页 |
| ·Ne~(2+)-Ne~(6+)1s 单空洞态双自电离速率的研究 | 第42-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 氩 2p 单空洞态双自电离过程的研究 | 第47-58页 |
| ·Ar~(+)2p~(5)3s~(2)3p~6组态双自电离过程中间态的研究 | 第47-54页 |
| ·Ar~(+)2p~(5)3s~(2)3p~6组态双自电离过程末态的研究 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 结束语 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第65页 |
