摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
第一章 绪论 | 第12-26页 |
·光刻技术 | 第12-15页 |
·电子束曝光技术 | 第15-20页 |
·电子束曝光概述 | 第15-17页 |
·电子束曝光技术的研究现状 | 第17-19页 |
·电子束曝光技术在材料微结构制备中的应用 | 第19-20页 |
·锂离子电池 Sn 合金薄膜负极的研究现状 | 第20-24页 |
·薄膜负极的特点 | 第20-21页 |
·Sn 金属薄膜负极 | 第21-22页 |
·Sn 合金薄膜负极 | 第22-24页 |
·本论文的研究意义及主要内容 | 第24-26页 |
·研究意义 | 第24页 |
·研究目的与研究内容 | 第24-26页 |
第二章 实验方法与设备 | 第26-32页 |
·实验方案与技术路线 | 第26-27页 |
·样品的制备方法 | 第27-30页 |
·微结构的制备 | 第27-29页 |
·抗蚀剂的处理工作 | 第28-29页 |
·电子束曝光微结构的制备 | 第29页 |
·显影液的配制 | 第29页 |
·金属膜的溅射 | 第29-30页 |
·材料的表征分析 | 第30-31页 |
·抗蚀剂厚度的测试 | 第30页 |
·XRD 分析 | 第30-31页 |
·SEM 及 EDS 分析 | 第31页 |
·样品的电化学性能测试 | 第31-32页 |
第三章 电子束曝光技术的基本工艺研究 | 第32-50页 |
·电子束曝光工艺 | 第32-44页 |
·电子束曝光工艺概述 | 第32-36页 |
·工艺参数对电子束曝光效果的影响 | 第36-42页 |
·电子束的影响 | 第36-39页 |
·抗蚀剂的影响 | 第39-41页 |
·显影工艺的影响 | 第41-42页 |
·写场拼接的研究 | 第42-44页 |
·Au 量子点阵列的制备 | 第44-48页 |
·实验方法 | 第44-45页 |
·SEM 表征 | 第45-48页 |
·本章小结 | 第48-50页 |
第四章 电子束曝光技术制备相间结构 Al-Sn薄膜负极 | 第50-61页 |
·实验方法 | 第50-51页 |
·实验结果与讨论 | 第51-55页 |
·抗蚀剂厚度 | 第51-52页 |
·SEM 表征 | 第52-55页 |
·相间结构负极的性能对比 | 第55-59页 |
·对比点分析 | 第55-56页 |
·Sn-Cu 薄膜负极的制备 | 第56-57页 |
·电化学性能分析 | 第57-59页 |
·结论 | 第59页 |
·本章小结 | 第59-61页 |
第五章 不同尺度 Sn-Cu薄膜负极性能的研究 | 第61-71页 |
·实验方法 | 第61-62页 |
·不同温度退火处理的 Sn-Cu 薄膜负极的比较研究 | 第62-70页 |
·不同温度退火处理对 Sn-Cu 薄膜微观结构的影响 | 第62-65页 |
·不同温度退火处理对 Sn-Cu 薄膜负极循环性能的影响 | 第65-70页 |
·本章小结 | 第70-71页 |
全文总结 | 第71-74页 |
参考文献 | 第74-80页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第80-81页 |
致谢 | 第81-82页 |
附件 | 第82页 |