非晶化合物半导体薄膜及其性质
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
1 绪论 | 第9-15页 |
·非晶半导体薄膜的发展状况 | 第9-13页 |
·非晶半导体薄膜的应用及进展 | 第9-11页 |
·非晶半导体薄膜的结构特点 | 第11页 |
·非晶半导体薄膜的光电特性 | 第11-13页 |
·本文的研究内容 | 第13-15页 |
·本文研究的目的和意义 | 第13页 |
·本文主要研究工作 | 第13-15页 |
2 薄膜的制备过程及性能表征 | 第15-22页 |
·直流反应磁控溅射系统 | 第15页 |
·直流反应磁控溅射技术 | 第15-18页 |
·磁控溅射工作原理 | 第16页 |
·溅射薄膜的形成理论 | 第16-17页 |
·直流反应磁控溅射的特点 | 第17页 |
·直流反应磁控溅射薄膜的影响因素 | 第17-18页 |
·薄膜的制备工艺 | 第18-19页 |
·薄膜制备的准备工作 | 第18页 |
·薄膜制备的具体工艺流程 | 第18-19页 |
·薄膜的表征 | 第19-22页 |
·薄膜的结构测试 | 第19页 |
·薄膜的膜厚测试 | 第19-21页 |
·薄膜光学性能的测试 | 第21页 |
·薄膜电学性能的测试 | 第21页 |
·薄膜的形貌和元素成分的测试 | 第21-22页 |
3 磁控溅射法制备CuO薄膜 | 第22-38页 |
·CuO薄膜的特性 | 第22-23页 |
·CuO薄膜的晶体结构 | 第22页 |
·CuO薄膜的光电特性 | 第22-23页 |
·CuO薄膜的其它性质 | 第23页 |
·CuO薄膜的制备方法 | 第23-28页 |
·溶胶凝胶法 | 第23-24页 |
·化学气相沉积法 | 第24-26页 |
·脉冲激光沉积法 | 第26页 |
·磁控溅射法 | 第26-27页 |
·热蒸发法 | 第27-28页 |
·薄膜的制备工艺 | 第28-29页 |
·薄膜制备的准备工作 | 第28页 |
·CuO薄膜制备 | 第28-29页 |
·样品测试和实验结果讨论 | 第29-37页 |
·铜氧化物薄膜的膜厚的测量和分析 | 第29-30页 |
·铜氧化物薄膜的表面形貌与组分 | 第30-31页 |
·铜氧化物薄膜的电学特性 | 第31-32页 |
·铜氧化物薄膜的光学特性 | 第32-34页 |
·CuO薄膜非晶态条件的研究 | 第34-37页 |
·本章小结 | 第37-38页 |
4 磁控溅射法制备Ag_2O薄膜 | 第38-48页 |
·Ag_2O薄膜的特性 | 第38-39页 |
·Ag_2O薄膜的结构与基本特性 | 第38页 |
·Ag_2O薄膜的光电特性 | 第38-39页 |
·Ag_2O薄膜的其它特性 | 第39页 |
·Ag_2O薄膜的制备方法 | 第39-40页 |
·Ag_2O薄膜的制备工艺 | 第40页 |
·薄膜制备的准备工作 | 第40页 |
·Ag_2O薄膜的制备 | 第40页 |
·样品测试 | 第40-47页 |
·薄膜的膜厚的测量和分析 | 第41页 |
·银氧化物薄膜结构与表面形貌分析 | 第41-44页 |
·银氧化物薄膜的光学特性 | 第44-46页 |
·银氧化物薄膜的电学特性 | 第46-47页 |
·本章小结 | 第47-48页 |
5 结论 | 第48-51页 |
·结论 | 第48-49页 |
·展望 | 第49-51页 |
参考文献 | 第51-55页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第55-56页 |
致谢 | 第56-58页 |