| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-40页 |
| ·磁电阻效应 | 第13-21页 |
| ·各向异性磁电阻(AMR) | 第13-14页 |
| ·巨磁阻效应(GMR) | 第14-18页 |
| ·隧穿磁电阻(TMR) | 第18-21页 |
| ·自旋转移矩(Spin-transfer torque,STT) | 第21-24页 |
| ·磁性随机存储器(MRAM) | 第24-28页 |
| ·传统MRAM | 第26-27页 |
| ·STT-MRAM | 第27-28页 |
| ·赛道存储器 | 第28-30页 |
| ·微波辅助磁化反转(MAMR) | 第30-31页 |
| ·本文主要研究内容 | 第31-34页 |
| 参考文献 | 第34-40页 |
| 第二章 微磁学基础 | 第40-56页 |
| ·铁磁性材料中的相互作用能 | 第41-46页 |
| ·静磁能 | 第41-42页 |
| ·交换能 | 第42页 |
| ·磁晶各向异性能 | 第42-45页 |
| ·Zeeman能 | 第45-46页 |
| ·静态微磁学-Brown方程 | 第46页 |
| ·动态微磁学-LLG方程 | 第46-49页 |
| ·LLG方程 | 第46-48页 |
| ·含自旋转移矩效应的LLG方程 | 第48-49页 |
| ·数值计算方法 | 第49-52页 |
| ·有限差分方法 | 第50页 |
| ·有限元方法 | 第50-51页 |
| ·常用的微磁学软件 | 第51-52页 |
| ·OOMMF | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第三章 实验方法 | 第56-69页 |
| ·薄膜制备方法 | 第56-58页 |
| ·电子束蒸发镀膜(e-beam evaporation) | 第56-57页 |
| ·磁控溅射 | 第57页 |
| ·焦耳热蒸发沉积 | 第57-58页 |
| ·图形化制备装置 | 第58-63页 |
| ·电子束曝光系统 | 第58-61页 |
| ·氩离子刻蚀 | 第61-62页 |
| ·使用到的其它仪器 | 第62-63页 |
| ·表征及测量方法 | 第63-68页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第63-65页 |
| ·电学性质的测量 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 第四章 微波磁场辅助自旋转移矩效应激发磁化反转 | 第69-91页 |
| ·微磁学模型 | 第71-72页 |
| ·自旋转移矩激发磁化反转 | 第72-74页 |
| ·微波磁场对临界电流密度的影响 | 第74-78页 |
| ·y方向偏振微波磁场对临界电流密度的影响 | 第74-77页 |
| ·不同微波磁场对临界电流密度的影响 | 第77-78页 |
| ·微波磁场对磁化反转机制的影响 | 第78-79页 |
| ·微波磁场对磁化反转时间的影响 | 第79-85页 |
| ·y方向偏振微波磁场对磁化反转时间的影响 | 第79-82页 |
| ·不同微波磁场对磁化反转时间的影响 | 第82-85页 |
| ·结论 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 第五章 垂直磁晶各向异性对自旋转移矩激发磁化反转的影响 | 第91-110页 |
| ·In-plane自旋阀中垂直各向异性的影响 | 第92-98页 |
| ·引言 | 第92-93页 |
| ·微磁学模型 | 第93页 |
| ·垂直各向异性对静态磁性的影响 | 第93-96页 |
| ·垂直各向异性对动态磁性的影响 | 第96-97页 |
| ·垂直各向异性对临界电流密度的影响 | 第97-98页 |
| ·Out-plane磁隧道结中垂直各向异性的影响 | 第98-105页 |
| ·引言 | 第98-99页 |
| ·微磁学模型 | 第99页 |
| ·自旋转移矩激发磁化反转 | 第99-103页 |
| ·微波磁场辅助自旋转移矩激发磁化反转 | 第103-105页 |
| ·结论 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-110页 |
| 第六章 横向FM/NM异质纳米结构的Seebeck电压 | 第110-126页 |
| ·引言 | 第110-111页 |
| ·样品制备及测试装置 | 第111-113页 |
| ·理论分析 | 第113-114页 |
| ·实验结果与讨论 | 第114-123页 |
| ·微分电阻测量 | 第114-118页 |
| ·Seebeck电压测量 | 第118-123页 |
| ·结论 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-126页 |
| 第七章 坡莫合金反点阵列膜动态磁性的研究 | 第126-143页 |
| ·引言 | 第126-129页 |
| ·二维周期性边界条件 | 第129-130页 |
| ·反点阵列膜的结构和参数 | 第130页 |
| ·反点阵列膜的静态磁矩分布 | 第130-133页 |
| ·反点阵列膜的高频特性 | 第133-138页 |
| ·磁谱的计算方法 | 第133-134页 |
| ·反点阵列的高频特性 | 第134-138页 |
| ·结论 | 第138-139页 |
| 参考文献 | 第139-143页 |
| 第八章 结论与展望 | 第143-146页 |
| ·本论文的主要结论 | 第143-145页 |
| ·微波磁场辅助自旋转移矩效应激发磁化反转 | 第143页 |
| ·垂直各向异性对动态磁性以及磁化反转的影响 | 第143-144页 |
| ·横向FM/NM异质纳米结构中的Seebeck电压 | 第144页 |
| ·具有二维周期性边界条件的反点阵列膜 | 第144-145页 |
| ·工作展望 | 第145-146页 |
| 在学期间的研究成果 | 第146-149页 |
| 致谢 | 第149-150页 |
