未掺杂InN以及Mg掺杂InN材料的表征及快速退火特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| §1.1 Ⅲ族氮化物半导体材料背景概述 | 第11-17页 |
| §1.1.1 Ⅲ族氮化物材料基本特点 | 第12-14页 |
| §1.1.2 InN材料性质及研究历程 | 第14-15页 |
| §1.1.3 MOCVD生长技术 | 第15-17页 |
| §1.2 X射线衍射 | 第17-18页 |
| §1.3 光致发光 | 第18-19页 |
| §1.3.1 光致发光基本原理 | 第18页 |
| §1.3.2 光致发光测量系统 | 第18-19页 |
| §1.4 其它表征研究手段介绍 | 第19-22页 |
| §1.4.1 霍尔效应 | 第19-20页 |
| §1.4.2 拉曼散射技术 | 第20-21页 |
| §1.4.3 扫描电子显微镜 | 第21页 |
| §1.4.4 原子力显微镜 | 第21-22页 |
| §1.5 论文主要研究内容 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第二章 InN生长及位错分析 | 第26-41页 |
| §2.1 引言 | 第26-27页 |
| §2.2 材料生长及表面形貌 | 第27-29页 |
| §2.2.1 InN材料MOCVD生长 | 第27页 |
| §2.2.2 InN样品表面形貌 | 第27-29页 |
| §2.3 XRD分析材料位错密度 | 第29-35页 |
| §2.3.1 马赛克微晶模型 | 第29-30页 |
| §2.3.2 InN材料位错密度计算 | 第30-35页 |
| §2.4 材料应力研究 | 第35-37页 |
| §2.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第三章 InN薄膜快速退火性质研究 | 第41-50页 |
| §3.1 引言 | 第41-42页 |
| §3.2 Mg掺杂InN快速退火性质研究 | 第42-44页 |
| §3.3 未掺杂InN快速退火性质研究 | 第44-47页 |
| §3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第四章 InN的光致发光性质研究 | 第50-57页 |
| §4.1 半导体能带结构 | 第50-51页 |
| §4.2 PL谱与载流子浓度关系 | 第51-52页 |
| §4.3 PL谱随温度的变化关系 | 第52-54页 |
| §4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-59页 |
| 硕士期间发表学术论文和参加学术会议情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
