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新型相变随机存储器单元仿真系统研制

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
1 绪论第9-20页
   ·引言第9-10页
   ·相变存储技术研究第10-13页
   ·CRAM 的国内外研究现状第13-16页
   ·CRAM 仿真技术及研究方法第16-18页
   ·本论文主要目的及内容第18-20页
2 CRAM 电路设计与仿真处理第20-35页
   ·存储单元读写操作整体电路设计第20-22页
   ·可调脉宽脉冲发生电路设计第22-24页
   ·写驱动电路设计第24-27页
   ·读操作电路设计第27-29页
   ·电路仿真处理第29-34页
   ·本章小结第34-35页
3 CRAM 存储单元仿真系统设计与实现第35-57页
   ·系统整体架构第35-36页
   ·系统关键模块及工作流程第36-38页
   ·系统程序集设计与实现第38-41页
   ·仿真系统界面设计与菜单功能实现第41-46页
   ·系统数据库设计与实现第46页
   ·系统集成关键技术实现第46-56页
   ·本章小结第56-57页
4 仿真系统安装包研制第57-63页
   ·安装包工程第57-59页
   ·关键技术的实现第59-62页
   ·本章小结第62-63页
5 基于仿真系统的仿真结果及分析第63-76页
   ·可调脉冲仿真结论及分析第63-65页
   ·CRAM 存储单元读写操作仿真结果及分析第65-67页
   ·脉冲、存储介质、存储元结构对存储特性的影响分析第67-75页
   ·本章小结第75-76页
6 总结与展望第76-79页
   ·总结第76-78页
   ·展望第78-79页
致谢第79-80页
参考文献第80-85页
附录Ⅰ攻读硕士学位期间发表的论文第85-86页
附录Ⅱ读写操作电路网表第86-89页
附录Ⅲ仿真系统部分关键代码第89-101页

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