| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| ·纳米材料介绍 | 第11-14页 |
| ·一维纳米材料概述 | 第14-16页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-18页 |
| 第二章 硅纳米线的研究进展 | 第18-52页 |
| ·硅纳米线的制备研究进展 | 第18-25页 |
| ·硅纳米线的光伏应用 | 第25-32页 |
| ·硅纳米线光学性质的研究 | 第32-46页 |
| ·理论和数值计算方法介绍 | 第32-42页 |
| ·硅纳米线光学性质研究进展 | 第42-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 第三章 硅纳米线的制备和表征 | 第52-67页 |
| ·硅纳米线的制备 | 第52-55页 |
| ·不同H_20_2 浓度下的制备 | 第52-55页 |
| ·改变反应时间的制备 | 第55页 |
| ·硅纳米线的表征 | 第55-60页 |
| ·不同H_20_2 浓度下硅纳米线的形貌表征 | 第55-57页 |
| ·不同H_20_2 浓度下硅纳米线的发光表征 | 第57-59页 |
| ·改变反应时间硅纳米线的形貌表征 | 第59-60页 |
| ·硅纳米线形成机理的讨论 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第四章 硅纳米线阵列光学性质的研究 | 第67-79页 |
| ·长度依赖的硅纳米线阵列的反射性质 | 第67-73页 |
| ·反射性质的实验研究 | 第67-69页 |
| ·反射性质的数值计算 | 第69-73页 |
| ·硅纳米线阵列的光陷效应 | 第73-74页 |
| ·角度和极化依赖的硅纳米线阵列的反射 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第五章 c-Si/a-Si:H 核壳纳米线阵列的光学性质 | 第79-94页 |
| ·c-Si/a-Si:H 核壳结构的初步制备 | 第80-83页 |
| ·c-Si/a-Si:H 光学性质的数值计算 | 第83-90页 |
| ·材料填充率的优化计算 | 第84-87页 |
| ·阵列周期的优化计算 | 第87-89页 |
| ·光吸收随长度和角度的计算 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第六章 总结 | 第94-97页 |
| ·本文的主要结论 | 第94-95页 |
| ·进一步研究建议 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和获得的奖励 | 第98-99页 |
| 附录 | 第99-101页 |