摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-13页 |
第一章 绪论 | 第13-48页 |
·ZnO的结构 | 第13-16页 |
·ZnO的光致发光性质 | 第16-22页 |
·PL光谱测量的原理 | 第17页 |
·近带边复合发光 | 第17-22页 |
·ZnO中的可见发光 | 第22页 |
·固体中的缺陷概述 | 第22-31页 |
·缺陷分类 | 第23-24页 |
·缺陷的作用 | 第24-25页 |
·缺陷调控和掺杂方法 | 第25-28页 |
·ZnO中的缺陷 | 第28-31页 |
·ZnO的制备 | 第31-35页 |
·ZnO薄膜的应用 | 第35-37页 |
·透明导电薄膜 | 第35-36页 |
·压敏元件 | 第36页 |
·气敏元件 | 第36-37页 |
·发光器件 | 第37页 |
·紫外探测器 | 第37页 |
·本论文涉及的表征方法 | 第37-42页 |
·X射线衍射(XRD) | 第37-38页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第38-39页 |
·光致发光谱(PL) | 第39-40页 |
·拉曼光谱(Raman Spectroscopy) | 第40-41页 |
·霍尔测量(Hall Measurements) | 第41-42页 |
·本论文主要工作 | 第42-44页 |
参考文献 | 第44-48页 |
第二章 Zn间隙对ZnO紫外发光的影响 | 第48-67页 |
·引言 | 第48-50页 |
·实验过程 | 第50-51页 |
·样品处理 | 第50页 |
·样品表征 | 第50-51页 |
·结果与讨论 | 第51-63页 |
·Zn-treated、without-Zn和as-grown ZnO单晶的室温PL谱 | 第51-52页 |
·Zn-treated、without-Zn和as-grown ZnO单晶的XRD谱 | 第52-54页 |
·Zn处理对ZnO单晶低温光致发光谱的影响 | 第54-59页 |
·Zn处理对ZnO单晶的可见发光的影响 | 第59-60页 |
·Zn处理对ZnO单晶的电学性质的影响 | 第60-61页 |
·扩散温度对ZnO单晶的发光的影响 | 第61-62页 |
·Zn掺杂对ZnO薄膜样品的影响 | 第62-63页 |
·本章小结 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-67页 |
第三章 ZnO晶体中激子和施主耦合发光 | 第67-80页 |
·引言 | 第67-68页 |
·实验过程 | 第68页 |
·样品处理 | 第68页 |
·样品测试 | 第68页 |
·结果与讨论 | 第68-76页 |
·As-grown ZnO单晶10K低温和室温下的光致发光 | 第68-70页 |
·Zn-doped ZnO单晶10K低温和室温下的光致发光 | 第70-71页 |
·PL发光谱线随温度的变化规律 | 第71-76页 |
·本章小结 | 第76-78页 |
参考文献 | 第78-80页 |
第四章 缺陷调控及其对可见发光的影响 | 第80-94页 |
·引言 | 第80-82页 |
·ZnO薄膜的制备工艺和方法 | 第82-83页 |
·溶胶配制 | 第82页 |
·基片清洗 | 第82页 |
·生长过程 | 第82-83页 |
·ZnO薄膜和单晶的热处理和性能表征 | 第83-84页 |
·热处理 | 第83-84页 |
·样品表征 | 第84页 |
·结果与讨论 | 第84-92页 |
·ZnO薄膜的形貌和晶体结构 | 第84-86页 |
·富Zn条件下扩散温度对ZnO可见发光的影响 | 第86-89页 |
·富氧条件下退火温度对ZnO薄膜可见发光的影响 | 第89-92页 |
·本章小结 | 第92-93页 |
参考文献 | 第93-94页 |
第五章 Ag掺杂对ZnO结构和光学性质的影响 | 第94-106页 |
·引言 | 第94-95页 |
·实验过程 | 第95页 |
·样品处理 | 第95页 |
·样品表征 | 第95页 |
·结果与讨论 | 第95-103页 |
·Ag-doped和as-grown ZnO单晶样品的拉曼散射谱分析 | 第95-97页 |
·Ag-doped和as-grown ZnO单晶样品的X射线衍射分析 | 第97-99页 |
·Ag-doped和as-grown ZnO单晶样品的光致发光谱分析 | 第99-103页 |
·本章小结 | 第103-104页 |
参考文献 | 第104-106页 |
第六章 总结与展望 | 第106-109页 |
·总结 | 第106-107页 |
·展望 | 第107-109页 |
致谢 | 第109-111页 |
攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第111页 |