高电荷态离子与固体表面相互作用的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-16页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·研究现状 | 第9-16页 |
| 第二章 基本理论 | 第16-35页 |
| ·经典过垒模型 | 第16-26页 |
| ·电子共振转移 | 第16-24页 |
| ·镜像电荷引起的动能增益 | 第24-26页 |
| ·准分子激发 | 第26-32页 |
| ·分子轨道理论基础 | 第26-29页 |
| ·电子提升分子轨道模型 | 第29-32页 |
| ·二体碰撞理论 | 第32-35页 |
| 第三章 实验装置及方法 | 第35-42页 |
| ·电子回旋共振离子源 | 第36-37页 |
| ·束流聚焦准直控制系统 | 第37-39页 |
| ·真空系统 | 第39页 |
| ·靶室 | 第39-40页 |
| ·实验靶样品 | 第40页 |
| ·束流检测系统 | 第40页 |
| ·探测器 | 第40页 |
| ·数据采集系统 | 第40-42页 |
| 第四章 实验数据及理论分析 | 第42-54页 |
| ·实验数据处理过程 | 第42-44页 |
| ·实验处理x射线的产额 | 第42-44页 |
| ·实验处理Al的k壳层电离截面 | 第44页 |
| ·理论上x射线的发射过程分析 | 第44-45页 |
| ·氩的2p空穴的分布函数n=(L,L~*) | 第45-47页 |
| ·氩的2p空穴在碰撞过程中的演化 | 第45页 |
| ·氩的2p壳层电离截面的计算 | 第45-47页 |
| ·铝的k壳层电离截面的计算 | 第47-48页 |
| ·单空穴单电子转移几率P(b)的计算 | 第47-48页 |
| ·每一深度Al的k壳层电离截面的计算 | 第48页 |
| ·理论x射线的产额与理论k壳层电离截面的计算 | 第48页 |
| ·实验结果与理论计算的对比图 | 第48-54页 |
| ·铝在不同价态氩作用下x射线产额 | 第49-51页 |
| ·铝在不同价态氩作用下k壳层电离截面 | 第51-54页 |
| 第五章 讨论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 附录 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
