| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| ·有机电致发光的发展史及研究现状 | 第11-14页 |
| ·有机电致发光器件的基本结构及发光机理 | 第14-17页 |
| ·有机电致发光器件的基本结构 | 第14-16页 |
| ·有机电致发光器件的发光机理 | 第16-17页 |
| ·有机电致发光器件性能参数的表征 | 第17-20页 |
| ·颜色 | 第18页 |
| ·发光亮度 | 第18页 |
| ·发光效率 | 第18-19页 |
| ·寿命和稳定性 | 第19-20页 |
| ·有机电致发光材料 | 第20-23页 |
| ·空穴、电子传输材料 | 第20-22页 |
| ·空穴注入材料 | 第22页 |
| ·发光材料 | 第22-23页 |
| ·电极材料 | 第23页 |
| ·有机电致发光器件中的界面研究 | 第23-25页 |
| ·金属阴极/有机界面 | 第24页 |
| ·ITO阳极/有机界面 | 第24-25页 |
| ·有机/有机界面 | 第25页 |
| ·本论文的研究目的和意义 | 第25-27页 |
| 第二章 方波型界面结构磷光器件的制备 | 第27-35页 |
| ·实验材料及实验设备 | 第27-28页 |
| ·实验所用材料相关参数及其化学结构式 | 第27-28页 |
| ·实验所用设备及其型号 | 第28页 |
| ·器件界面结构设计 | 第28-32页 |
| ·Alq_3/LiF处方波型界面 | 第29-30页 |
| ·CBP:Ir(ppy)_3/BAlq、BAlq/Alq_3、Alq_3/LiF处方波型界面 | 第30-31页 |
| ·NPB/CBP:Ir(ppy)_3、CBP:Ir(ppy)_3/BAlq、BAlq/Alq_3、Alq_3/LiF处方波型界面 | 第31-32页 |
| ·器件制作工艺 | 第32页 |
| ·ITO玻璃的处理 | 第32页 |
| ·真空蒸镀 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-35页 |
| 第三章 Alq_3/LiF处方波型界面器件性能的表征 | 第35-45页 |
| ·凸起厚度为5nm时器件光电性能表征 | 第35-37页 |
| ·凸起厚度为10nm时器件光电性能表征 | 第37-39页 |
| ·凸起厚度为15nm时器件光电性能表征 | 第39-41页 |
| ·凸起厚度为20nm时器件光电性能表征 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 CBP:Ir(ppy)_3/BAlq、BAlq/Alq_3、Alq_3/LiF处方波型界面性能表征 | 第45-55页 |
| ·凸起厚度为2nm时器件光电性能表征 | 第45-47页 |
| ·凸起厚度为4nm时器件光电性能表征 | 第47-49页 |
| ·凸起厚度为6nm时器件光电性能表征 | 第49-51页 |
| ·凸起厚度为8nm时器件光电性能表征 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 NPB/CBP:Ir(ppy)_3、CBP:Ir(ppy)_3/BAlq、BAlq/Alq_3处方波型界面器件性能表征 | 第55-65页 |
| ·凸起厚度为5nm时器件光电性能表征 | 第55-57页 |
| ·凸起厚度为10nm时器件光电性能表征 | 第57-59页 |
| ·凸起厚度为15nm时器件光电性能表征 | 第59-61页 |
| ·凸起厚度为20nm时器件光电性能表征 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文、专利 | 第75页 |
| 论文 | 第75页 |
| 专利 | 第75页 |
