| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-27页 |
| ·垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构、特点、历史及现状 | 第10-14页 |
| ·VCSEL基本结构 | 第10-11页 |
| ·VCSEL的特点及应用范围 | 第11-12页 |
| ·VCSEL的材料体系 | 第12-13页 |
| ·VCSEL的历史及现状 | 第13-14页 |
| ·长波长VCSEL面临的技术问题 | 第14-18页 |
| ·长波长VCSEL的研究进展 | 第18-21页 |
| ·可调谐长波长VCSEL的研究进展 | 第21-24页 |
| ·VCSEL工艺技术 | 第24-25页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第二章 面发射激光器制作工艺 | 第27-52页 |
| ·台面腐蚀 | 第28-33页 |
| ·InP材料的选择性腐蚀 | 第30页 |
| ·InGaAs(P)/InAlAs材料的选择性腐蚀 | 第30-31页 |
| ·InP/InGaAs(P)/InAlAs材料的非选择性腐蚀 | 第31-33页 |
| ·表面钝化 | 第33-34页 |
| ·电极图形制作 | 第34-37页 |
| ·腐蚀方法 | 第35页 |
| ·剥离方法 | 第35-37页 |
| ·欧姆接触 | 第37-47页 |
| ·引言 | 第38-41页 |
| ·实验步骤 | 第41-42页 |
| ·p型InP和InGaAsP材料的欧姆接触特性 | 第42-45页 |
| ·1.3μm VCSEL结构电学特性的提高 | 第45-47页 |
| ·光学膜 | 第47-48页 |
| ·工艺集成与版图设计 | 第48-50页 |
| ·特性测试 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第三章 1.3μm全外延面发射激光器探索 | 第52-66页 |
| ·器件结构与制作工艺 | 第52-54页 |
| ·边发射激光器特性 | 第54-55页 |
| ·器件结构反射光谱分析 | 第55-58页 |
| ·器件特性 | 第58-61页 |
| ·I-V和I-P特性 | 第58页 |
| ·发射光谱 | 第58-59页 |
| ·温度特性 | 第59-61页 |
| ·封装后器件特性 | 第61-63页 |
| ·全外延结构的提高途径 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第四章 掩埋隧道结的研究 | 第66-81页 |
| ·隧道结的原理 | 第66-68页 |
| ·隧道结的电学特性模拟 | 第68-73页 |
| ·隧道结的制作和电学特性 | 第73-77页 |
| ·实验步骤 | 第73-74页 |
| ·隧道结的掺杂浓度 | 第74-75页 |
| ·隧道结的电学特性 | 第75-77页 |
| ·包含隧道结的1.3μm VCSEL结构电学和光谱特性 | 第77-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第五章 电流限制孔径的研究 | 第81-99页 |
| ·侧向腐蚀工艺制作电流限制孔径 | 第82-85页 |
| ·实验步骤 | 第82-83页 |
| ·各种材料的选择比 | 第83页 |
| ·侧向腐蚀中的晶向问题 | 第83-84页 |
| ·AlInAs材料的侧向腐蚀速率 | 第84-85页 |
| ·InP材料的侧向腐蚀速率 | 第85页 |
| ·离子注入工艺制作电流限制孔径 | 第85-97页 |
| ·离子注入的原理与作用 | 第85-86页 |
| ·离子注入的掩膜 | 第86-87页 |
| ·实验步骤 | 第87-89页 |
| ·n-InP材料注入H~ 的电学特性 | 第89-90页 |
| ·离子注入1.3μm面发射激光器结构的电学特性 | 第90-94页 |
| ·离子注入1.3μm面发射激光器结构的电致发光特性 | 第94-97页 |
| ·室温脉冲激射的VCSEL器件 | 第97-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 第六章 可调谐面发射激光器初步探讨 | 第99-112页 |
| ·可调谐长波长VCSEL结构设计与分析 | 第100-105页 |
| ·挠度 | 第100-102页 |
| ·空气隙DBR反射镜 | 第102-103页 |
| ·器件结构初步设计与调谐性能模拟 | 第103-105页 |
| ·InP/空气隙结构的制作与特性分析 | 第105-111页 |
| ·侧向腐蚀InGaAs的速率和表面形貌 | 第105-107页 |
| ·粘附释放工艺的探讨 | 第107-108页 |
| ·InP/空气隙结构的制作 | 第108-109页 |
| ·InP/空气隙结构的微拉曼光谱测试 | 第109-111页 |
| ·本章小结 | 第111-112页 |
| 第七章 总结与展望 | 第112-114页 |
| 附录A p型GaAs的远红外波段光学特性 | 第114-121页 |
| 附录B 论文中的英文缩写 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-133页 |
| 发表论文及申请专利目录 | 第133-135页 |
| 致谢 | 第135-137页 |
| 作者简历 | 第137-138页 |
