| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-28页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第9-11页 |
| ·碳纳米管的制备 | 第11-16页 |
| ·无规则排列的碳纳米管制备方法 | 第11-12页 |
| ·有序碳纳米管薄膜的制备 | 第12-15页 |
| ·氮掺杂碳纳米管薄膜的制备 | 第15-16页 |
| ·碳纳米管的性质 | 第16-18页 |
| ·碳纳米管的电学性能 | 第16页 |
| ·碳纳米管的热学性能 | 第16-17页 |
| ·碳纳米管的力学性能 | 第17页 |
| ·碳纳米管的光学性能 | 第17页 |
| ·碳纳米管的电化学性能 | 第17-18页 |
| ·碳纳米管在气敏传感器中的应用 | 第18-26页 |
| ·用单壁碳纳米管（SWNT）制作气敏传感器 | 第18-22页 |
| ·用单壁碳纳米管制作气敏传感器的优点 | 第20页 |
| ·用单壁碳纳米管制作气敏传感器的缺点 | 第20-21页 |
| ·单一导电性能的单壁碳纳米管的分离 | 第21-22页 |
| ·用多壁碳纳米管制作气敏传感器 | 第22-24页 |
| ·用多壁碳纳米管制作电容式传感器 | 第22-23页 |
| ·用多壁碳纳米管制作电阻式传感器 | 第23-24页 |
| ·用多壁碳纳米管阵列制作气敏传感器 | 第24-26页 |
| ·碳纳米管气敏传感器的修饰 | 第26页 |
| ·本论文得选题依据和研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 实验方法 | 第28-33页 |
| ·实验药品、仪器及其规格 | 第28-29页 |
| ·实验内容 | 第29-33页 |
| ·利用CVD法制备无规则排列的碳纳米管 | 第29-30页 |
| ·阵列碳纳米管的制备 | 第30-31页 |
| ·碳纳米管气敏传感器的测量 | 第31-33页 |
| 第三章 Al_2O_3基板上碳纳米管薄膜的气敏性能 | 第33-56页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·实验内容 | 第34-35页 |
| ·实验结果与讨论 | 第35-54页 |
| ·反应温度对碳纳米管薄膜生长及其气敏性能的影响 | 第35-38页 |
| ·二茂铁浓度对碳纳米管薄膜生长及其气敏性能的影响 | 第38-41页 |
| ·反应时间对碳纳米管薄膜生长的影响 | 第41-43页 |
| ·载气流量对碳纳米管薄膜生长的影响 | 第43-46页 |
| ·N/C的比对碳纳米管薄膜生长的影响 | 第46-53页 |
| ·影响阵列碳纳米管气敏传感器性能的主要因素 | 第53-54页 |
| ·制备方法对碳纳米管气敏传感器性能的影响 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 Si基片上碳纳米管薄膜的气敏性能 | 第56-78页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·实验内容 | 第56页 |
| ·实验结果与讨论 | 第56-76页 |
| ·反应温度对碳纳米管薄膜生长及气敏性能的影响 | 第57-59页 |
| ·二茂铁浓度对碳纳米管薄膜生长及其气敏性能的影响 | 第59-61页 |
| ·反应时间对碳纳米管薄膜生长的影响 | 第61-64页 |
| ·载气流量对碳纳米管薄膜生长的影响 | 第64-66页 |
| ·N/C的比对碳纳米管薄膜生长的影响 | 第66-73页 |
| ·影响碳纳米管气敏传感器性能的主要因素 | 第73页 |
| ·不同基体对阵列碳纳米管结构及气敏特性的影响 | 第73-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 结论 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 致谢 | 第85页 |