| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| §1-1 概述 | 第10-11页 |
| §1-2 GaN 材料的基本特性 | 第11-14页 |
| 1-2-1 GaN 的结构特性 | 第11-13页 |
| 1-2-2 GaN 的化学特性 | 第13页 |
| 1-2-3 GaN 的电学特性 | 第13页 |
| 1-2-4 GaN 的光学特性 | 第13-14页 |
| §1-3 GaN 基化合物制备技术及其发展 | 第14-16页 |
| 1-3-1 分子束外延(MBE)技术 | 第15页 |
| 1-3-2 原子束外延(ALE)技术 | 第15页 |
| 1-3-3 卤化物汽相外延(HVPE)技术 | 第15-16页 |
| 1-3-4 金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术 | 第16页 |
| §1-4 GaN 基光电器件的研究进展 | 第16-17页 |
| §1-5 本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 GaN 薄膜的生长机理与影响因素 | 第18-28页 |
| §2-1 薄膜的成核 | 第18-23页 |
| 2-1-1 成核的临界条件 | 第18-20页 |
| 2-1-2 成核速率 | 第20-21页 |
| 2-1-3 GaN 薄膜的生长理论 | 第21-23页 |
| §2-2 成核和薄膜结构的影响因素 | 第23-28页 |
| 2-2-1 反应源流速 | 第24页 |
| 2-2-2 沉积原子的动能 | 第24页 |
| 2-2-3 斜入射蒸积 | 第24页 |
| 2-2-4 衬底温度 | 第24页 |
| 2-2-5 衬底选择 | 第24-27页 |
| 2-2-6 缓冲层 | 第27页 |
| 2-2-7 杂质污染 | 第27-28页 |
| 第三章 实验过程和分析技术 | 第28-36页 |
| §3-1 引言 | 第28-30页 |
| §3-2 本论文使用的 MOCVD 系统 | 第30-34页 |
| 3-2-1 设备概述 | 第30-31页 |
| 3-2-2 MOCVD 开机步骤 | 第31-32页 |
| 3-2-3 激光反射在位监测系统 | 第32-34页 |
| §3-3 主要测试分析技术 | 第34-36页 |
| 3-3-1 双晶X 射线衍射（DCXRD） | 第34-35页 |
| 3-3-2 扫描电子显微镜（SEM） | 第35页 |
| 3-3-3 原子力显微镜（AFM） | 第35-36页 |
| 第四章 蓝宝石衬底上横向外延过生长 GaN 薄膜 | 第36-53页 |
| §4-1 引言 | 第36-38页 |
| §4-2 蓝宝石衬底的预处理 | 第38-43页 |
| 4-2-1 蓝宝石单晶的性质 | 第38页 |
| 4-2-2 蓝宝石衬底的预处理 | 第38-43页 |
| §4-3 预处理衬底上的 GaN 外延生长 | 第43-52页 |
| 4-3-1 外延生长程序 | 第43-45页 |
| 4-3-2 结果与分析 | 第45-52页 |
| §4-4 小结 | 第52-53页 |
| 第五章 蓝宝石衬底上外延 GaN 薄膜生长工艺的研究 | 第53-67页 |
| §5-1 引言 | 第53-54页 |
| §5-2 缓冲层生长压力对 GaN 外延生长的影响 | 第54-57页 |
| 5-2-1 实验方案 | 第54-56页 |
| 5-2-2 结果与分析 | 第56-57页 |
| §5-3 缓冲层生长厚度对GaN 外延生长的影响 | 第57-59页 |
| 5-3-1 实验方案 | 第57页 |
| 5-3-2 结果与分析 | 第57-59页 |
| §5-4 多缓冲层结构对GaN 外延生长的影响 | 第59-66页 |
| 5-4-1 低温插入层对GaN 外延生长的影响 | 第59-61页 |
| 5-4-2 改变Ⅴ/Ⅲ比的低温插入层对 GaN 外延生长的影响 | 第61-63页 |
| 5-4-3 中温插入层对GaN 外延生长的影响 | 第63-66页 |
| §5-5 小结 | 第66-67页 |
| 第六章 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第74-75页 |
