| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 宽带隙半导体材料综述 | 第10-14页 |
| 参考文献 | 第12-14页 |
| 第二章 ZnO材料综述 | 第14-34页 |
| ·ZnO材料的结构和基本物性 | 第14-15页 |
| ·ZnO材料的制备 | 第15-30页 |
| ·体材料的制备 | 第15-20页 |
| ·薄膜材料的制备 | 第20-25页 |
| ·纳米材料的制备 | 第25-30页 |
| ·ZnO材料在器件方面的应用 | 第30页 |
| 参考文献 | 第30-34页 |
| 第三章 TFA-MOD方法制备优质ZnO薄膜 | 第34-49页 |
| ·薄膜制备 | 第34-42页 |
| ·工艺方法 | 第34-39页 |
| ·薄膜制备中的常见问题及处理 | 第39-42页 |
| ·成膜机制 | 第42页 |
| ·前驱体的表征及分析 | 第42-47页 |
| ·小结 | 第47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 反应的热物理化学过程及前驱体的分析 | 第49-57页 |
| ·样品制备 | 第49页 |
| ·样品表征 | 第49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-56页 |
| ·凝胶的热分析 | 第49-53页 |
| ·MEA对溶胶的影响 | 第53-54页 |
| ·ZnO薄膜生长条件的优化 | 第54-56页 |
| ·小结 | 第56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第五章 ZnO的光致发光特性研究 | 第57-75页 |
| ·TFA-MOD方法制得的ZnO薄膜的发光 | 第57-66页 |
| ·样品制备 | 第57页 |
| ·样品表征 | 第57-58页 |
| ·实验结果与分析 | 第58-63页 |
| ·发光峰归属讨论 | 第63-66页 |
| ·ZnO纳米材料的光致发光 | 第66-71页 |
| ·实验过程 | 第66-67页 |
| ·样品表征 | 第67页 |
| ·结果和讨论 | 第67-71页 |
| ·小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 第六章 SiC材料综述 | 第75-87页 |
| ·SiC材料的结构特征 | 第76-77页 |
| ·SiC材料制备 | 第77-83页 |
| ·体单晶生长 | 第77-78页 |
| ·薄膜生长 | 第78-82页 |
| ·外延膜质量表征 | 第82页 |
| ·纳米SiC生长 | 第82-83页 |
| ·SiC器件研究 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第七章 PS/OCS/Si叠层反应法制备无空洞缺陷的SiC薄膜 | 第87-94页 |
| ·样品制备 | 第87-88页 |
| ·样品表征 | 第88页 |
| ·结果与分析 | 第88-93页 |
| ·真空热处理样品 | 第88-91页 |
| ·Ar气中热处理样品 | 第91-93页 |
| ·小结 | 第93页 |
| 参考文献 | 第93-94页 |
| 第八章 SiC/SiO_2纳米复合薄膜的制备与光致发光研究 | 第94-98页 |
| ·样品制备 | 第94页 |
| ·样品表征 | 第94页 |
| ·结果与分析 | 第94-97页 |
| ·红外分析 | 第94-95页 |
| ·光致发光分析 | 第95-97页 |
| ·小结 | 第97页 |
| 参考文献 | 第97-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 博士期间发表论文目录 | 第99-100页 |