| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-26页 |
| ·铁电材料简介 | 第10-11页 |
| ·PZT铁电材料的结构 | 第11-12页 |
| ·薄膜概况 | 第12-14页 |
| ·薄膜研究的历史 | 第12页 |
| ·薄膜的形成过程 | 第12-13页 |
| ·影响薄膜成核和长大的因素 | 第13-14页 |
| ·界面对PZT铁电薄膜性能的影响及其研究进展 | 第14-17页 |
| ·界面对PZT铁电薄膜性能的影响 | 第14-15页 |
| ·界面对PZT铁电薄膜性能影响的研究进展 | 第15-17页 |
| ·PZT铁电薄膜的制备方法 | 第17-19页 |
| ·溶胶-凝胶 | 第18页 |
| ·金属有机物化学气相沉积 | 第18-19页 |
| ·射频磁控溅射 | 第19页 |
| ·本文研究目的、方法和内容 | 第19-20页 |
| ·本文研究目的 | 第19页 |
| ·本文研究方法和内容 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-26页 |
| 第二章 薄膜的界面 | 第26-35页 |
| ·界面相 | 第26-29页 |
| ·界面曲率半径的影响 | 第29-30页 |
| ·晶体表面能、界面能和黏附能 | 第30-31页 |
| ·表面能对薄膜稳定性的影响 | 第31-33页 |
| ·界面能对薄膜成核长大的影响 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 实验方法与测试技术 | 第35-43页 |
| ·溅射沉积技术 | 第35-37页 |
| ·直流辉光放电 | 第35-36页 |
| ·射频辉光放电 | 第36-37页 |
| ·溅射沉积设备 | 第37-38页 |
| ·射频磁控溅射仪 | 第37页 |
| ·基片与靶材 | 第37-38页 |
| ·测试分析技术 | 第38-42页 |
| ·X射线衍射 | 第38-39页 |
| ·原子力显微镜 | 第39-40页 |
| ·铁电性能测试仪 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 LNO底电极和PZT铁电薄膜的制备 | 第43-51页 |
| ·LNO底电极薄膜的制备 | 第43-46页 |
| ·PZT铁电薄膜的制备 | 第46-48页 |
| ·顶电极的制备 | 第48-49页 |
| 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第五章 界面对PZT铁电薄膜性能的影响 | 第51-67页 |
| ·PZT/Si界面对PZT铁电薄膜性能的影响 | 第51-54页 |
| ·LNO底电极/Si基底界面对PZT铁电薄膜性能的影响 | 第54-59页 |
| ·Si基底材料对PZT薄膜性能的影响 | 第55-56页 |
| ·Si基底表面粗糙度对PZT薄膜性能的影响 | 第56-59页 |
| ·PZT/底电极界面对PZT铁电薄膜性能的影响 | 第59-62页 |
| ·顶电极/PZT界面对PZT铁电薄膜性能的影响 | 第62-64页 |
| 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 总结 | 第67-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |