CdⅠ能谱的多通道量子亏损理论（MQDT）研究
| 1 绪论 | 第1-15页 |
| ·综述 | 第9-13页 |
| ·课题的研究目的和意义 | 第13页 |
| ·课题的研究内容 | 第13-15页 |
| 2 材料现代分析方法概述 | 第15-31页 |
| ·材料结构基础 | 第15-23页 |
| ·原子能态及其表征 | 第15-19页 |
| ·原子的磁矩和原子核自旋 | 第19-23页 |
| ·材料现代分析方法的一般原理 | 第23页 |
| ·光谱分析法简介 | 第23-31页 |
| ·光谱分析过程与仪器简述 | 第25-28页 |
| ·光谱分析方法的应用 | 第28-31页 |
| 3 多通道量子亏损理论(MQDT) | 第31-66页 |
| ·原子的激发态结构 | 第31-55页 |
| ·谱项和原子态 | 第31-42页 |
| ·耦合类型和组态作用 | 第42-49页 |
| ·Rydberg态 | 第49-55页 |
| ·MQDT的一般物理图像 | 第55-56页 |
| ·多通道量子亏损理论 | 第56-66页 |
| ·单通道量子亏损理论 | 第56-59页 |
| ·多通道量子亏损理论 | 第59-66页 |
| 4 Cd I MQDT参数的拟合 | 第66-71页 |
| ·通道的选择 | 第66-67页 |
| ·参数的选择 | 第67-68页 |
| ·参数初值的选取 | 第68-70页 |
| ·参数的拟合 | 第70-71页 |
| 5 结果分析与讨论 | 第71-81页 |
| ·Cd I 的偶宇称J=1能谱分析及寿命 | 第71-76页 |
| ·Cd I 的偶宇称J=2能谱分析及寿命 | 第76-81页 |
| 6 结论 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 在读期间发表的论文 | 第85页 |
