| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-40页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·二茂铁基聚合物的合成 | 第12-20页 |
| ·支化状二茂铁基聚合物的合成 | 第12-13页 |
| ·线形高分子量二茂铁基聚合物的合成 | 第13-20页 |
| ·环状二茂铁的热ROP(TROP) | 第14页 |
| ·环状二茂铁的阴离子ROP | 第14-15页 |
| ·环状二茂铁的过渡金属催化ROP | 第15-16页 |
| ·环状二茂铁的阳离子ROP | 第16页 |
| ·环状二茂铁的紫外光引发ROP | 第16页 |
| ·环状二茂铁的γ辐照ROP | 第16-17页 |
| ·环状二茂铁的开环移位聚合(ROMP) | 第17页 |
| ·环状二茂铁的修饰及ROP | 第17-18页 |
| ·二茂铁基聚合物的化学反应 | 第18-19页 |
| ·其它合成方法 | 第19-20页 |
| ·二茂铁基聚合物的性能及应用 | 第20-28页 |
| ·聚二茂铁的电性能 | 第20-21页 |
| ·聚二茂铁的光性能 | 第21-24页 |
| ·聚二茂铁的磁性能 | 第24-25页 |
| ·聚二茂铁的自组装 | 第25-27页 |
| ·其它性能及应用 | 第27-28页 |
| ·课题的提出及意义 | 第28页 |
| 参考文献 | 第28-40页 |
| 第二章 实验部分 | 第40-51页 |
| ·主要试剂的规格、来源及精制 | 第40-41页 |
| ·主要试剂的规格和来源 | 第40-41页 |
| ·主要试剂的精制 | 第41页 |
| ·合成实验装置 | 第41-42页 |
| ·二茂铁基聚合物的合成 | 第42-46页 |
| ·聚二茂铁二甲基硅烷的合成 | 第42页 |
| ·聚二茂铁甲基苯基硅烷的合成 | 第42页 |
| ·聚二茂铁甲基丁基硅烷(PFMBS-a)的合成 | 第42-43页 |
| ·聚二茂铁甲基丁基硅烷(PFMBS-b)的合成 | 第43页 |
| ·甲氧基丁基聚二茂铁硅烷(MeO-Bu-PFS)的合成 | 第43-44页 |
| ·萘乙氧基丁基聚二茂铁硅烷(Np-Bu-PFS)的合成 | 第44页 |
| ·丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷(HEMA-PFS)的合成 | 第44页 |
| ·甲氧基丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷(MeO-HEMA-PFS-a和-b)的合成 | 第44页 |
| ·萘乙氧基丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷(Np-HEMA-PFS)的合成 | 第44-45页 |
| ·正丁基丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷(Bu-HEMA-PFS)的合成 | 第45页 |
| ·稳定自由基丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷(TEMPOL-HEMA-PFS)的合成 | 第45页 |
| ·含硼聚二茂铁(PBF)的合成 | 第45-46页 |
| ·样品制备、仪器及测试方法 | 第46-49页 |
| ·氢-核磁共振谱(~1H-NMR) | 第46页 |
| ·凝胶渗透色谱(GPC) | 第46页 |
| ·紫外/可见光谱(UV/Vis) | 第46页 |
| ·聚二茂铁硅烷薄膜的制备 | 第46-47页 |
| ·聚二茂铁硅烷薄膜的碘扩散掺杂 | 第47页 |
| ·聚二茂铁硅烷薄膜的导电性能 | 第47-48页 |
| ·聚二茂铁硅烷的电化学性能测试 | 第48页 |
| ·电极处理 | 第48页 |
| ·电化学iR电位降补偿 | 第48页 |
| ·聚二茂铁硅烷薄膜的光刻 | 第48-49页 |
| ·聚二茂铁硅烷的自组装 | 第49页 |
| ·透射电镜(TEM) | 第49页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第三章 二茂铁基聚合物的合成、电子性能和电性能研究 | 第51-68页 |
| ·聚二茂铁硅烷的合成与表征 | 第51-54页 |
| ·聚二茂铁二甲基硅烷的合成及表征 | 第51-52页 |
| ·聚二茂铁甲基苯基硅烷的合成及表征 | 第52页 |
| ·聚合时间对聚二茂铁硅烷分子量和分子量分布的影响 | 第52-54页 |
| ·聚二茂铁硅烷薄膜的制备及UV/Vis研究 | 第54-57页 |
| ·聚二茂铁硅烷薄膜的制备及其结晶性能 | 第54-55页 |
| ·聚二茂铁硅烷薄膜的碘扩散掺杂 | 第55页 |
| ·聚二茂铁二甲基硅烷和聚二茂铁甲基苯基硅烷薄膜碘掺杂前后的UV/Vis谱 | 第55-57页 |
| ·掺杂聚二茂铁硅烷薄膜的导电性能 | 第57-62页 |
| ·掺杂聚二茂铁硅烷薄膜的导电性能测试 | 第57-59页 |
| ·碘摻杂聚二茂铁二甲基硅烷的电导率和载流子浓度及迁移率 | 第59-61页 |
| ·碘掺杂对聚二茂铁二甲基硅烷薄膜电导率的影响 | 第59-60页 |
| ·碘掺杂对聚二茂铁二甲基硅烷载流子浓度的影响 | 第60页 |
| ·碘掺杂对聚二茂铁二甲基硅烷空穴迁移率的影响 | 第60-61页 |
| ·掺杂聚二茂铁硅烷导电机理探讨 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 第四章 二茂铁基聚合物的合成及溶液电化学研究 | 第68-97页 |
| ·聚二茂铁的合成与表征 | 第68-75页 |
| ·聚二茂铁甲基丁基硅烷(PFMBS-a)的合成 | 第68-69页 |
| ·聚二茂铁甲基丁基硅烷(PFMBS-b)的合成 | 第69-70页 |
| ·甲氧基丁基聚二茂铁硅烷(MeO-Bu-PFS)的合成 | 第70-71页 |
| ·萘乙氧基丁基聚二茂铁硅烷(Np-Bu-PFS)的合成 | 第71-72页 |
| ·含硼聚二茂铁(PBF)的合成 | 第72-75页 |
| ·Na盐和硼烷原料的预处理 | 第73页 |
| ·中间体双-(三甲硅基)-氨基-二氯硼烷的合成 | 第73-74页 |
| ·聚二茂铁硼烷的合成 | 第74-75页 |
| ·聚二茂铁的溶液电化学 | 第75-91页 |
| ·不同电位降补偿(iR)对CV谱的影响 | 第75页 |
| ·不同有机溶剂对CV谱的影响 | 第75-77页 |
| ·不同聚合物浓度对CV谱的影响 | 第77-80页 |
| ·PFS溶液的电化学反应机理 | 第80-82页 |
| ·PFS分子量对CV行为的影响 | 第82页 |
| ·扫描速率对CV谱的影响 | 第82-86页 |
| ·不同取代基团对CV谱的影响 | 第86页 |
| ·二茂铁基聚合物上桥原子的不同对其CV行为的影响 | 第86-88页 |
| ·PFS溶液的表观扩散系数 | 第88-91页 |
| ·小结 | 第91页 |
| 参考文献 | 第91-97页 |
| 第五章 丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷的合成及性能研究 | 第97-125页 |
| ·系列丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷的合成与表征 | 第97-103页 |
| ·丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷(HEMA-PFS)的合成 | 第97-98页 |
| ·甲氧基丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷(MeO-HEMA-PFS-a和-b)的合成 | 第98-99页 |
| ·萘乙氧基丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷(Np-HEMA-PFS)的合成 | 第99-101页 |
| ·正丁基丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷(Bu-HEMA-PFS)的合成 | 第101-102页 |
| ·稳定自由基丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷(TEMPOL-HEMA-PFS)的合成 | 第102-103页 |
| ·系列丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷的性能研究 | 第103-120页 |
| ·系列丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷的UV/Vis研究 | 第103-105页 |
| ·具有不同数量丙烯酸酯基的聚二茂铁硅烷溶液的UV/Vis研究 | 第103-104页 |
| ·硅上具有不同基团的聚二茂铁硅烷溶液的UV/Vis研究 | 第104-105页 |
| ·系列丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷的溶液电化学研究 | 第105-106页 |
| ·丙烯酸酯基数量对聚二茂铁硅烷CV谱的影响 | 第105页 |
| ·硅上具有不同基团的聚二茂铁硅烷溶液的CV研究 | 第105-106页 |
| ·丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷的光交联研究 | 第106-108页 |
| ·丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷的光刻工艺 | 第107页 |
| ·丙烯酸基聚二茂铁硅烷的光刻性能 | 第107-108页 |
| ·丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷的自组装研究 | 第108-120页 |
| ·丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷的溶液自组装 | 第108-113页 |
| ·甲氧基丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷的溶液自组装 | 第113页 |
| ·萘乙氧基丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷的溶液自组装 | 第113-119页 |
| ·丙烯酸酯基聚二茂铁硅烷自组装体的SEM观察 | 第119-120页 |
| ·小结 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-125页 |
| 第六章 结论 | 第125-127页 |
| ·主要结论 | 第125-126页 |
| ·主要创新点 | 第126-127页 |
| 攻读博士学位期间已发表和待发表的论文 | 第127-129页 |
| 致谢 | 第129-130页 |
