| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-30页 |
| ·无线电引信 | 第14-15页 |
| ·毫米波系统发展 | 第15-19页 |
| ·概述 | 第15-16页 |
| ·毫米波收发组件发展 | 第16-19页 |
| ·毫米波系统集成技术及其新发展 | 第19-27页 |
| ·T/R模块集成技术 | 第20-21页 |
| ·单片集成电路(MMIC) | 第21-25页 |
| ·GaAs MESFET | 第22-23页 |
| ·HJFET | 第23页 |
| ·HEMT | 第23-24页 |
| ·HBT | 第24-25页 |
| ·集成电路的新进展——3DMIC和MCM | 第25-27页 |
| ·三维微波集成电路(3DMIC) | 第25-26页 |
| ·多芯片模块(MCM) | 第26-27页 |
| ·本文主要研究内容 | 第27-30页 |
| 第二章 毫米波引信前端收发组件方案 | 第30-42页 |
| ·毫米波引信前端收发组件技术指标 | 第30-31页 |
| ·毫米波引信前端收发组件工作原理 | 第31-32页 |
| ·毫米波引信前端收发组件设计方案 | 第32-38页 |
| ·毫米波引信前端收发组件设计原则 | 第32-36页 |
| ·毫米波引信前端收发组件结构 | 第36页 |
| ·毫米波引信前端收发组件模块设计 | 第36-38页 |
| ·毫米波引信前端收发组件设计中的电磁兼容(EMC)问题 | 第38-41页 |
| ·地线设计 | 第39页 |
| ·屏蔽设计 | 第39-40页 |
| ·滤波设计 | 第40页 |
| ·电路设计 | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第三章 平面无源电路 | 第42-72页 |
| ·功率分配/合成器 | 第42-48页 |
| ·功率分配/合成器基本理论 | 第43-44页 |
| ·功率分配/合成器设计 | 第44-48页 |
| ·f_0/4功分器设计 | 第44-46页 |
| ·f_0功率分配/合成器设计 | 第46-48页 |
| ·滤波器 | 第48-57页 |
| ·微带带通滤波器设计 | 第49-57页 |
| ·平行耦合微带线带通滤波器设计 | 第49-50页 |
| ·新型多路耦合型微带带通滤波器设计 | 第50-53页 |
| ·新型加载电容型毫米波微带带通滤波器设计 | 第53-57页 |
| ·集总参数低通滤波器设计 | 第57页 |
| ·微带到波导过渡 | 第57-61页 |
| ·微带到微带互连线 | 第61-65页 |
| ·GaAs MMIC无源元件 | 第65-70页 |
| ·电容 | 第65-67页 |
| ·交指型电容 | 第65-66页 |
| ·MIM电容 | 第66-67页 |
| ·电感 | 第67-69页 |
| ·高阻抗线 | 第67-68页 |
| ·拱形电感 | 第68页 |
| ·螺旋电感 | 第68-69页 |
| ·电阻 | 第69-70页 |
| ·小结 | 第70-72页 |
| 第四章 毫米波放大器 | 第72-108页 |
| ·放大器特性的表征方法 | 第72-78页 |
| ·功率增益 | 第72-75页 |
| ·噪声特性 | 第75-77页 |
| ·噪声系数 | 第75-76页 |
| ·最佳噪声匹配 | 第76-77页 |
| ·稳定性 | 第77页 |
| ·动态范围 | 第77-78页 |
| ·1dB增益压缩动态范围 | 第77-78页 |
| ·无失真动态范围 | 第78页 |
| ·毫米波功率放大器设计方法 | 第78-81页 |
| ·以输入和输出阻抗为基础的设计 | 第79页 |
| ·以S参数为基础的设计 | 第79-81页 |
| ·毫米波单片功率放大器的设计 | 第81-106页 |
| ·有源器件及无源器件模型 | 第81-90页 |
| ·有源器件建模方法 | 第82-83页 |
| ·高电子迁移率晶体管(HEMT) | 第83-86页 |
| ·PHEMT模型 | 第86-90页 |
| ·无源元件的模型 | 第90页 |
| ·毫米波单片功率放大器电路设计与仿真 | 第90-94页 |
| ·电路拓扑的选择 | 第90-92页 |
| ·电路的优化设计和仿真 | 第92-94页 |
| ·毫米波单片功率放大器电路的电磁场仿真与版图设计 | 第94-97页 |
| ·电路的电磁场仿真 | 第94-96页 |
| ·版图调整规则 | 第96页 |
| ·版图设计过程 | 第96-97页 |
| ·毫米波单片功率放大器第一次流片和测试结果 | 第97-101页 |
| ·毫米波单片功率放大器的制备 | 第97-99页 |
| ·毫米波单片功率放大器第一次流片测试结果 | 第99-100页 |
| ·毫米波单片功率放大器第一次流片结果分析 | 第100-101页 |
| ·毫米波单片功率放大器第二次流片和测试结果 | 第101-106页 |
| ·电路设计的改进 | 第101-102页 |
| ·改进后电路的拓扑结构 | 第102页 |
| ·改进后电路的电磁场仿真结果 | 第102-104页 |
| ·毫米波单片功率放大器第二次流片 | 第104页 |
| ·毫米波单片功率放大器第二次流片测试结果 | 第104-106页 |
| ·毫米波单片功率放大器第二次流片结果分析 | 第106页 |
| ·小结 | 第106-108页 |
| 第五章 毫米波倍频源 | 第108-115页 |
| ·倍频器理论分析 | 第108-112页 |
| ·倍频器相位噪声 | 第112-114页 |
| ·毫米波倍频源 | 第114页 |
| ·小结 | 第114-115页 |
| 第六章 混频器 | 第115-124页 |
| ·肖特基势垒二极管 | 第115-117页 |
| ·肖特基势垒二极管结构 | 第115-116页 |
| ·肖特基势垒二极管等效电路 | 第116-117页 |
| ·混频器的混频原理 | 第117-118页 |
| ·混频器主要技术指标 | 第118-121页 |
| ·变频损耗 | 第119页 |
| ·噪声系数 | 第119-120页 |
| ·动态范围 | 第120页 |
| ·隔离度 | 第120-121页 |
| ·混频器的电路形式 | 第121-122页 |
| ·单端混频器 | 第121页 |
| ·单平衡混频器 | 第121-122页 |
| ·双平衡混频器 | 第122页 |
| ·组件中的混频器 | 第122-123页 |
| ·小结 | 第123-124页 |
| 第七章 毫米波控制电路 | 第124-149页 |
| ·PIN-二极管 | 第124-127页 |
| ·PIN-二极管结构 | 第124-125页 |
| ·PIN-二极管等效电路 | 第125-127页 |
| ·正向偏置时的等效电路 | 第125-126页 |
| ·反向偏置时的等效电路 | 第126-127页 |
| ·PIN二极管开关 | 第127-131页 |
| ·PIN二极管开关基本电路和性能 | 第128-130页 |
| ·组件中的开关 | 第130-131页 |
| ·毫米波0-π移相器 | 第131-148页 |
| ·移相器主要技术指标 | 第131-132页 |
| ·工作频带 | 第131-132页 |
| ·相移量 | 第132页 |
| ·相移精度 | 第132页 |
| ·移相器开关时间 | 第132页 |
| ·寄生调幅 | 第132页 |
| ·移相器工作原理 | 第132-138页 |
| ·开关线移相器 | 第132-134页 |
| ·加载线移相器 | 第134页 |
| ·反射式移相器 | 第134-137页 |
| ·平衡式移相器 | 第137-138页 |
| ·0-π移相器参数对载波抑制度的影响 | 第138-146页 |
| ·移相误差与寄生调幅对载波抑制度的影响 | 第138-141页 |
| ·移相器开关时间对载波抑制度的影响 | 第141-144页 |
| ·仿真结果对比 | 第144-146页 |
| ·0-π移相器设计 | 第146-148页 |
| ·小结 | 第148-149页 |
| 第八章 毫米波引信前端收发组件 | 第149-158页 |
| ·毫米波引信前端收发组件模块电路设计 | 第149-153页 |
| ·源模块电路 | 第149-150页 |
| ·接收机模块电路 | 第150页 |
| ·发射机模块电路 | 第150-151页 |
| ·组件腔体设计 | 第151-152页 |
| ·电源电路 | 第152-153页 |
| ·毫米波引信前端收发组件装配 | 第153-154页 |
| ·毫米波引信前端收发组件测试 | 第154-156页 |
| ·毫米波引信前端收发组件测试框图 | 第154-156页 |
| ·毫米波引信前端收发组件测试结果 | 第156页 |
| ·小结 | 第156-158页 |
| 第九章 结论 | 第158-160页 |
| 致谢 | 第160-161页 |
| 参考文献 | 第161-168页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第168-169页 |