目录 | 第1-6页 |
图目录 | 第6-8页 |
表目录 | 第8-9页 |
摘要 | 第9-10页 |
ABSTRACT | 第10-11页 |
第一章 绪论 | 第11-33页 |
·厚膜电路技术 | 第11-15页 |
·厚膜技术在集成电路中的地位 | 第11页 |
·厚膜技术的发展概括 | 第11-12页 |
·厚膜技术的应用特点 | 第12-13页 |
·厚膜电路的应用 | 第13-15页 |
·厚膜电阻浆料 | 第15-22页 |
·厚膜电阻浆料的组成 | 第16-18页 |
·厚膜电阻浆料的研究现状及发展趋势 | 第18-22页 |
·贱金属及化合物厚膜电阻浆料 | 第22-24页 |
·二氧化钼厚膜电阻浆料 | 第23-24页 |
·二硅化钼系厚膜电阻浆料 | 第24页 |
·常用厚膜电阻功能相导电粉体 | 第24-30页 |
·金属粉末 | 第25页 |
·金属氧化物 | 第25-30页 |
·立题依据 | 第30-31页 |
·本课题的研究内容、意义和创新点 | 第31-33页 |
·本课题的研究内容 | 第31页 |
·开展本课题研究的意义 | 第31-32页 |
·论文的创新点 | 第32-33页 |
第二章 实验过程及方法 | 第33-42页 |
·实验用主要原料及设备 | 第33-34页 |
·实验用主要原料 | 第33页 |
·实验主要设备 | 第33-34页 |
·浆料各组分的制备 | 第34-36页 |
·有机载体制备 | 第34-35页 |
·BaPbO_3粉体制备 | 第35-36页 |
·BaPb_(1-x)Bi_xO_3粉体制备 | 第36页 |
·厚膜电阻浆料及电阻样品的制备 | 第36-39页 |
·电阻浆料的制备 | 第36-37页 |
·厚膜电阻测试样品的制备 | 第37-38页 |
·烧结体电阻测试样品的制备 | 第38-39页 |
·测试线收缩率的样品的制备 | 第39页 |
·试验样品性能测试方法 | 第39-42页 |
第三章 BaPbO_3材料的合成研究 | 第42-52页 |
·BaPbO_3的晶体结构 | 第42-43页 |
·BaPbO_3材料的制备方法与反应机理 | 第43-46页 |
·机械合金化-固相合成法制备BaP603的研究 | 第46-51页 |
·机械合金化-固相合成方法 | 第46-47页 |
·机械合金化-固相合成法制备BaP603的反应机理分析 | 第47-51页 |
·小结 | 第51-52页 |
第四章 BaPb_(1-x)BixO_3厚膜电阻组分反应烧结的研究 | 第52-67页 |
·BaPb_(1-x)BiO_3厚膜电阻粘结相的选择 | 第52-53页 |
·Bi_2O_3-BaPbO_3系粉末固相反应研究 | 第53-55页 |
·DSC-TG分析 | 第53-54页 |
·X-ray衍射分析 | 第54-55页 |
·结果讨论 | 第55页 |
·Bi_2O_3-BaPbO_3-Ag系粉末固相反应研究 | 第55-57页 |
·DSC-TG分析 | 第56页 |
·X-ray衍射分析 | 第56-57页 |
·结果讨论 | 第57页 |
·数值x对BaPb_(1-x)Bi_xO_3的性能的影响 | 第57-65页 |
·数值x对BaPb_(1-x)Bi_xO_3体电阻电阻率与TCR值的影响 | 第58-59页 |
·数值x对BaPb_(1-x)Bi_xO_3烧结初期阶段的烧结活化能的影响 | 第59-65页 |
·小结 | 第65-67页 |
第五章 BaPb_(1-x)Bi_xO_3厚膜电阻的性能研究及其导电机理讨论 | 第67-79页 |
·影响BaPb_(1-x)Bi_xO_3厚膜电阻性能的因素研究 | 第67-72页 |
·Bi_2O_3含量对厚膜电阻性能的影响 | 第67-68页 |
·峰值温度对厚膜电阻性能的影响 | 第68-70页 |
·烧成膜厚对厚膜电阻性能的影响 | 第70-71页 |
·掺银含量对厚膜电阻性能的影响 | 第71-72页 |
·厚膜电阻导电模型的研究 | 第72-77页 |
·微观结构 | 第73-74页 |
·物理模型 | 第74-75页 |
·数学模型 | 第75-76页 |
·掺银对导电模型的影响 | 第76-77页 |
·小结 | 第77-79页 |
第六章 结论 | 第79-81页 |
附录:攻读硕士期间发表的论文 | 第81-82页 |
致谢 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-90页 |