光刻机精细对准方法研究
| 第一章 绪论 | 第1-18页 |
| 1．1 研究背景 | 第10-13页 |
| 1．2 光刻对准技术的研究进程 | 第13-16页 |
| 1．3 研究的内容和意义 | 第16-18页 |
| 第二章 光刻机高精度对准系统的设计和原理 | 第18-35页 |
| 2．1 光刻工艺和对准、曝光流程 | 第18-21页 |
| 2．1．1 光刻工艺流程 | 第18页 |
| 2．1．2 光刻对准方法的设计、曝光流程 | 第18-21页 |
| 2．2 光学对准方法 | 第21-22页 |
| 2．3 对准系统的技术路线和设计原则 | 第22-26页 |
| 2．3．1 对准系统的技术路线 | 第22-25页 |
| 2．3．2 对准系统设计的原则 | 第25-26页 |
| 2．4 对准系统的标记设计 | 第26-29页 |
| 2．4．1 对准标记 | 第26-27页 |
| 2．4．2 对准标记的布局 | 第27-29页 |
| 2．5 对准过程 | 第29-34页 |
| 2．5．1 光刻机的坐标系 | 第30-32页 |
| 2．5．2 整场对准和逐场对准 | 第32-34页 |
| 2．6 小结 | 第34-35页 |
| 第三章 掩模硅片自动对准误差校正算法 | 第35-46页 |
| 3．1 100nm掩模硅片自动对准模型 | 第35-37页 |
| 3．2 工件台和掩模台的同步控制算法流程图 | 第37-38页 |
| 3．3 硅片对准模型 | 第38-43页 |
| 3．3．1 实际坐标阵列与理论坐标阵列关系 | 第38-39页 |
| 3．3．2 利用最小二乘法标定坐标系系数 | 第39-41页 |
| 3．3．3 硅片增强全场对准数学模型应用 | 第41-43页 |
| 3．4 工件台对准模型 | 第43页 |
| 3．5 掩模对准模型 | 第43-44页 |
| 3．6 掩模硅片对准 | 第44-45页 |
| 3．7 小结 | 第45-46页 |
| 第四章 离轴对准光源信号调制原理及分析 | 第46-53页 |
| 4．1 光信号位相调制原理 | 第47-48页 |
| 4．2 调制光信号分析 | 第48-49页 |
| 4．2．1 无杂散光的信号强度 | 第48-49页 |
| 4．2．2 有杂散光的信号强度 | 第49页 |
| 4．3 对准信号强度分析 | 第49-51页 |
| 4．4 小结 | 第51-53页 |
| 第五章 离轴精细对准光电探测方案 | 第53-63页 |
| 5．1 衍射成像系统的光电探测 | 第53-54页 |
| 5．2 相位探测原理 | 第54-55页 |
| 5．3 位相光栅对准信号分析 | 第55-58页 |
| 5．3．1 基本的对准标记光栅 | 第55-57页 |
| 5．3．2 精细对准标记光栅 | 第57-58页 |
| 5．4 对准信号模拟结果 | 第58-62页 |
| 5．4．1 基本对准标记信号模拟结果 | 第58-59页 |
| 5．4．2 精细对准标记信号模拟结果 | 第59-62页 |
| 5．5 小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结论与展望 | 第63-65页 |
| 6．1 结论 | 第63页 |
| 6．2 展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第69-70页 |
| 独创性声明 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
