基于绝缘体上的硅材料的刻蚀光栅式分波合波器研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstact | 第5-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-34页 |
| ·硅光波导材料及硅光波导的应用 | 第10-19页 |
| ·集成平面光波导的常用材料 | 第10-13页 |
| ·SOI材料及基于SOI材料的平面光波导 | 第13-17页 |
| ·硅光波导器件 | 第17-19页 |
| ·分波合波器简介 | 第19-24页 |
| ·分波合波器在光网络中的作用 | 第20页 |
| ·分波合波器的制作方法及比较 | 第20-21页 |
| ·AWG和EDG的研究历史和现状 | 第21-23页 |
| ·EDG与AWG的比较 | 第23-24页 |
| ·本论文的工作意义和内容 | 第24-27页 |
| ·论文的目的 | 第24-25页 |
| ·论文的创新点 | 第25页 |
| ·论文内容 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-34页 |
| 第2章 SOI材料的光波导理论 | 第34-53页 |
| ·大截面脊形波导的单模条件 | 第34-36页 |
| ·倾斜光栅槽面引起的基模反射损耗 | 第36-39页 |
| ·基于等效结构的模式重叠积分法 | 第36-37页 |
| ·数值方法及其与模式重叠积分法的比较 | 第37-38页 |
| ·基模的反射损耗 | 第38-39页 |
| ·倾斜光栅槽面激发的高阶模 | 第39-45页 |
| ·分析方法 | 第39-41页 |
| ·三种方法的比较 | 第41-42页 |
| ·基模到高阶模的耦合 | 第42-45页 |
| ·多模平板波导与单模脊形波导的耦合 | 第45-50页 |
| ·分析方法 | 第45-47页 |
| ·脊形波导基模与平板波导基模的耦合损耗 | 第47-49页 |
| ·脊形波导基模与平板波导高阶模的耦合损耗 | 第49-50页 |
| ·倾斜光栅槽面对串扰的影响 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第3章 基于SOI材料的刻蚀光栅分波合波器的设计 | 第53-84页 |
| ·阶梯光栅的基本原理 | 第53-55页 |
| ·光栅方程 | 第53页 |
| ·角色散 | 第53-54页 |
| ·分辨率 | 第54-55页 |
| ·自由谱域(FSR) | 第55页 |
| ·凹面阶梯光栅的设计方法 | 第55-56页 |
| ·模拟方法 | 第56-59页 |
| ·设计时需要考虑的问题和误差分析 | 第59-80页 |
| ·通带平顶化 | 第61-64页 |
| ·偏振相关性 | 第64页 |
| ·插入损耗 | 第64-76页 |
| ·串扰 | 第76-80页 |
| ·设计流程 | 第80-81页 |
| ·小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 第4章 基于SOI材料的平面光波导工艺研究 | 第84-108页 |
| ·SOI材料上的硅深刻蚀工艺研究 | 第84-91页 |
| ·电感耦合等离子体刻蚀(ICP) | 第84-86页 |
| ·无切换ICP刻蚀技术 | 第86-91页 |
| ·小结 | 第91页 |
| ·氧化抛光 | 第91-92页 |
| ·集成波导拐弯微镜 | 第92-104页 |
| ·ICP干法刻蚀法 | 第93-95页 |
| ·单步湿法腐蚀法 | 第95-100页 |
| ·两步法 | 第100-104页 |
| ·三种方法的比较 | 第104页 |
| ·小结 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-108页 |
| 第5章 制作和测试 | 第108-134页 |
| ·器件的制作 | 第108-119页 |
| ·版图和工艺设计 | 第108-115页 |
| ·版图绘制 | 第115页 |
| ·芯片制作 | 第115-117页 |
| ·端面抛光 | 第117-118页 |
| ·流片结果 | 第118-119页 |
| ·测试和讨论 | 第119-129页 |
| ·定性观察 | 第119-120页 |
| ·定量测量 | 第120-121页 |
| ·测量结果及讨论 | 第121-129页 |
| ·小结 | 第129-131页 |
| 附录 | 第131-133页 |
| 参考文献 | 第133-134页 |
| 第6章 总结 | 第134-136页 |
| 附录1 攻读博士期间发表的论文及科研成果 | 第136-138页 |
| 致谢 | 第138-139页 |
| 个人简历 | 第139-140页 |
