| 摘要 | 第1-6页 |
| abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-29页 |
| ·晶体硅太阳电池的研究历史和发展现状 | 第13-16页 |
| ·晶体硅太阳电池技术 | 第16-21页 |
| ·晶体硅太阳电池的工作原理 | 第16-19页 |
| ·晶体硅太阳电池的薄片化 | 第19-21页 |
| ·晶体硅太阳电池的表面复合 | 第21-25页 |
| ·晶体硅太阳电池的表面状态 | 第21-22页 |
| ·晶体硅太阳电池表面复合的物理机制 | 第22-25页 |
| ·太阳电池用晶体硅的表面钝化 | 第25-27页 |
| ·晶体硅表面钝化原理 | 第25-26页 |
| ·晶体硅表面钝化技术 | 第26-27页 |
| ·本文研究方向的提出 | 第27-29页 |
| 第三章 实验内容与研究方法 | 第29-41页 |
| ·验方案 | 第29-30页 |
| ·PE-CVD沉积氮化硅薄膜钝化的研究 | 第29页 |
| ·原子层沉积氧化铝薄膜钝化的研究 | 第29-30页 |
| ·非晶硅薄膜钝化的研究 | 第30页 |
| ·实验及测试设备 | 第30-35页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)系统 | 第30-31页 |
| ·原子层沉积(ALD)系统 | 第31-32页 |
| ·快速热处理(RTP)系统 | 第32-33页 |
| ·少子寿命测试仪 | 第33-34页 |
| ·高频电容测试系统 | 第34-35页 |
| ·半导体材料界面性质的电容电压研究方法 | 第35-41页 |
| ·高频电容法 | 第35-37页 |
| ·低频电容法 | 第37页 |
| ·高-低频电容法 | 第37页 |
| ·对于金属-绝缘层-绝缘层-半导体(MIIS)结构的分析方法 | 第37-41页 |
| 第四章 氮化硅薄膜钝化的研究 | 第41-56页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·氮化硅薄膜的微结构 | 第41-43页 |
| ·氮化硅薄膜中的结构缺陷 | 第41-42页 |
| ·氮化硅薄膜中的氢元素 | 第42-43页 |
| ·实验 | 第43页 |
| ·原生氮化硅薄膜的钝化效果及其热稳定性 | 第43-55页 |
| ·原生氮化硅薄膜的钝化 | 第43-45页 |
| ·快速热处理温度对氮化硅薄膜钝化稳定性的影响 | 第45-46页 |
| ·快速热处理温度对氮化硅薄膜钝化稳定性及薄膜微结构的影响 | 第46-51页 |
| ·快速热处理时间对氮化硅薄膜钝化稳定性及薄膜微结构的影响 | 第51-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 氧化铝薄膜的钝化研究 | 第56-67页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·ALD-Al_2O_3与晶体硅的界面特性概述 | 第56-58页 |
| ·ALD-Al_2O_3薄膜中的界面电荷 | 第56-57页 |
| ·ALD-Al_2O_3/c-Si的界面图景 | 第57-58页 |
| ·实验 | 第58-59页 |
| ·快速热处理对ALD-Al_2O_3薄膜与晶体硅的界面电学性质的影响 | 第59-65页 |
| ·快速热处理对ALD-Al_2O_3薄膜与晶体硅的界面复合的影响 | 第59-63页 |
| ·快速热处理对Al_2O_3/c-Si界面电荷的影响 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 本征非晶硅薄膜及氮化硅/非晶硅薄膜叠层钝化的研究 | 第67-74页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·实验 | 第68-69页 |
| ·本征非晶硅薄膜(a-Si)及氮化硅/非晶硅薄膜的钝化 | 第69-71页 |
| ·氮化硅/非晶硅叠层钝化膜与晶体硅界面的电学性质 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第七章 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 个人简介 | 第85-87页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及专利 | 第87页 |
