| 致谢 | 第1-4页 |
| 发表论文目录 | 第4-5页 |
| 中文摘要 | 第5-7页 |
| 英文摘要 | 第7-11页 |
| 第一章 文献综述 高介电常数材料在微电子领域中的应用 | 第11-36页 |
| 1．1 引言 | 第11-12页 |
| 1．2 SiO_2减薄问题 | 第12-14页 |
| 1．3 高介电常数材料概述 | 第14-18页 |
| 1．4 ZrO_2和HfO_2高介电常数材料 | 第18-25页 |
| 1．5 钛酸锶钡系高介电常数材料 | 第25-31页 |
| 1．6 本论文的工作 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 第二章 MOD法制备BST薄膜电容器的性能研究 | 第36-61页 |
| 2．1 引言 | 第36-38页 |
| 2．2 BST薄膜的制备 | 第38-42页 |
| 2．3 不同厚度BST薄膜的电学特性表征 | 第42-53页 |
| 2．4 BST薄膜电学性能的改进 | 第53-59页 |
| 2．5 本章小结 | 第59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第三章 脉冲准分子激光沉积法（PLD）制备Ba_（0．8）Sr_（0．2）TiO_3薄膜及其性能研究 | 第61-79页 |
| 3．1 引言 | 第61-62页 |
| 3．2 沉积气压对BST薄膜结构和漏电性能的影响 | 第62-67页 |
| 3．3 PLD薄膜薄膜的制备和后期热处理对BST薄膜电容器的电学性能影响 | 第67-72页 |
| 3．4 多孔硅上沉积BST薄膜的方法初探 | 第72-77页 |
| 3．5 本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 第四章 超高真空电子束蒸发结合快速热处理制备HfO_2的初步探讨 | 第79-98页 |
| 4．1 引言 | 第79-80页 |
| 4．2 超高真空电子束蒸发Hf及热氧化条件的确定 | 第80-85页 |
| 4．3 ZrO_2扩散阻挡层在热氧化含Hf制备HfO_2薄膜中的应用 | 第85-96页 |
| 4．4 本章小结 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-98页 |
| 第五章 4×8位铁电存储器的流片及工艺研究 | 第98-111页 |
| 5．1 引言 | 第98-100页 |
| 5．2 工艺流程 | 第100-107页 |
| 5．3 流片过程中存在的问题 | 第107-109页 |
| 5．4 本章小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-111页 |
| 第六章 结论 | 第111-113页 |
| 简历 | 第113页 |
