| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| ·研究背景 | 第8-11页 |
| ·研究意义和现状 | 第11-16页 |
| ·纳米压痕模拟的意义和现状 | 第11-15页 |
| ·裂纹扩展模拟的意义和现状 | 第15-16页 |
| ·论文的提出与模型的建立 | 第16-18页 |
| ·本文的主要工作和创新点 | 第18-21页 |
| 第二章 准连续介质方法介绍 | 第21-32页 |
| ·原子模拟方法 | 第21-23页 |
| ·QC计算方法 | 第23-26页 |
| ·减少自由度 | 第23-24页 |
| ·局部QC方法——有限元法 | 第24-25页 |
| ·非部局QC方法——原子模拟法 | 第25-26页 |
| ·局部与非局部的判断 | 第26-27页 |
| ·局部/非局部交接面的耦合 | 第27-31页 |
| ·局部/非局部交接面 | 第27-28页 |
| ·"魔力"的产生及处理 | 第28-31页 |
| ·网格自适应 | 第31-32页 |
| 第三章 纳米压痕的尺寸效应模拟 | 第32-51页 |
| ·计算模型介绍 | 第33-34页 |
| ·载荷一位移曲线和应变能一位移曲线 | 第34-40页 |
| ·微观变形机理 | 第40-45页 |
| ·Al薄膜在9.3(?)压头加载下的位错形核过程 | 第40-42页 |
| ·各工况下的位错形核过程 | 第42-45页 |
| ·临界载荷的比较分析 | 第45-47页 |
| ·四种薄膜不同压头宽度下的硬度值 | 第47页 |
| ·扩展位错宽度分析 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 第四章 纳米压痕模拟的晶体取向效应 | 第51-63页 |
| ·计算模型介绍 | 第52-53页 |
| ·x[111],y[-110],z[11-2]晶体取向 | 第53-55页 |
| ·x[-1-12],y[111],z[-110]晶体取向 | 第55-57页 |
| ·x[1-10],y[001]1,z[-1-10]晶体取向 | 第57-59页 |
| ·纳米压痕晶体取向效应分析 | 第59-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第五章 纳米压痕模拟的晶界效应 | 第63-72页 |
| ·计算模型介绍 | 第63-64页 |
| ·不带晶界的情况 | 第64-66页 |
| ·带有晶界的情况 | 第66-69页 |
| ·讨论 | 第69-72页 |
| 第六章 裂纹尖端扩展的多尺度模拟 | 第72-89页 |
| ·计算模型介绍 | 第73-74页 |
| ·Ⅰ型加载模拟结果与分析 | 第74-80页 |
| ·x[111],y[-110],z[11-2]晶体取向 | 第74-75页 |
| ·x[-1-12],y[111],z[-110]晶体取向 | 第75-77页 |
| ·x[1-10],y[001],z[-1-10]晶体取向 | 第77-78页 |
| ·讨论 | 第78-80页 |
| ·Ⅱ型加载模拟结果与分析 | 第80-87页 |
| ·x[111],y[-110],z[11-2]晶体取向 | 第80-81页 |
| ·x[-1-12],y[111],z[-110]晶体取向 | 第81-83页 |
| ·x[1-10],y[001],z[-1-10]晶体取向 | 第83-85页 |
| ·讨论 | 第85-87页 |
| ·小结 | 第87-89页 |
| 第七章 总结与展望 | 第89-91页 |
| 攻读博士学位期间成果 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
