化学溶液法制备涂层导体缓冲层的技术研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第1章 涂层导体缓冲层的研究进展 | 第9-21页 |
·YBa_2Cu_3O_(7-d)超导体 | 第9-10页 |
·实用YBCO超导材料 | 第10-13页 |
·YBCO单畴大块 | 第10-11页 |
·YBCO薄膜 | 第11-12页 |
·YBCO涂层导体 | 第12-13页 |
·涂层导体缓冲层 | 第13-16页 |
·种子层 | 第15-16页 |
·阻隔层 | 第16页 |
·晶格匹配层 | 第16页 |
·涂层导体缓冲层制备技术 | 第16-18页 |
·脉冲激光沉积技术 | 第17页 |
·磁控溅射技术 | 第17-18页 |
·金属-有机物气相沉积 | 第18页 |
·化学溶液沉积技术 | 第18页 |
·涂层导体缓冲层的发展趋势 | 第18-21页 |
第2章 化学溶液沉积技术 | 第21-27页 |
·基本原理 | 第21-22页 |
·实验方法 | 第22-24页 |
·典型的应用实例 | 第24-27页 |
第3章 导电型缓冲层LaNiO_3的研究 | 第27-39页 |
·引言 | 第27页 |
·实验过程 | 第27-32页 |
·实验仪器及原料 | 第27-28页 |
·基片的清洗 | 第28-29页 |
·前驱溶液的配制 | 第29页 |
·涂敷及薄膜的热处理 | 第29-32页 |
·结果及分析 | 第32-38页 |
·热处理温度范围的选择 | 第32-34页 |
·热处理温度以及厚度对织构的影响 | 第34-36页 |
·热处理工艺对表面形貌的影响 | 第36-37页 |
·LaNiO_3薄膜的导电性能研究 | 第37-38页 |
·本章小结 | 第38-39页 |
第4章 钙钛矿型缓冲层NdGaO_3的研究 | 第39-49页 |
·引言 | 第39页 |
·实验过程 | 第39-42页 |
·实验仪器及原料 | 第39-40页 |
·基片的清洗 | 第40页 |
·前驱物的准备以及前驱溶液的配制 | 第40-41页 |
·涂敷及薄膜的热处理 | 第41-42页 |
·前驱体及薄膜的分析测试方法及原理 | 第42页 |
·结果及分析 | 第42-47页 |
·前驱物以及前驱液的表征 | 第42-44页 |
·热处理温度和热处理时间对织构形成的影响 | 第44-46页 |
·NdGaO_3表面形貌的研究 | 第46-47页 |
·本章小结 | 第47-49页 |
第5章 双钙钛矿型缓冲层的研究 | 第49-55页 |
·引言 | 第49页 |
·实验过程 | 第49-51页 |
·实验仪器及原料 | 第49-50页 |
·前驱物中钨盐的制备 | 第50-51页 |
·前驱溶液的配制及分析 | 第51页 |
·结果及分析 | 第51-53页 |
·本章小结 | 第53-55页 |
第6章 主要结论 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-65页 |
致谢 | 第65-67页 |
攻读硕士期间的科研成果 | 第67页 |