| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 1 引言 | 第10-13页 |
| 2 粒子物理探测器中的气体探测器 | 第13-28页 |
| ·粒子物理探测器简介 | 第13-14页 |
| ·气体探测器介质的三个条件 | 第14-15页 |
| ·绝缘性 | 第14页 |
| ·自由电荷寿命长 | 第14-15页 |
| ·自由电荷迁移率高 | 第15页 |
| ·相关的物理过程 | 第15-20页 |
| ·射线与物质的相互作用 | 第15-17页 |
| ·电子与离子在电场中的运动 | 第17-20页 |
| ·气体放大 | 第20-23页 |
| ·放大机制 | 第20-21页 |
| ·空间电荷效应 | 第21-22页 |
| ·增益随计数率增加的变化 | 第22页 |
| ·‘雪崩-流光-放电'过程 | 第22-23页 |
| ·信号的产生 | 第23-24页 |
| ·Ramo法则 | 第23页 |
| ·等效噪声电荷(ENC) | 第23-24页 |
| ·耦合干扰(Crosstalk) | 第24页 |
| ·用于同步辐射的气体探测器 | 第24-26页 |
| ·同步辐射光子探测特点 | 第24-25页 |
| ·目前可用于同步辐射的探测器 | 第25页 |
| ·从多丝正比室到微观探测器 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 3 气体电子倍增器 | 第28-50页 |
| ·气体电子倍增器介绍 | 第28-40页 |
| ·气体电子倍增器工作原理及相关物理过程 | 第28-31页 |
| ·标准GEM膜孔的物理模拟 | 第31-38页 |
| ·气体电子倍增器的性能的影响因素 | 第38-40页 |
| ·多层GEM结构 | 第40-43页 |
| ·多层GEM结构工作原理及相关物理过程 | 第40-42页 |
| ·升降高压的方式 | 第42页 |
| ·GEM信号特征 | 第42-43页 |
| ·多层GEM的读出方式 | 第43-47页 |
| ·采用平行读出条或者Pads阵列读出 | 第43-45页 |
| ·采用开关电容阵列的Pads阵列读出 | 第45-46页 |
| ·采用CMOS读出方式 | 第46页 |
| ·采用CCD读出方式 | 第46-47页 |
| ·采用延迟线读出方法 | 第47页 |
| ·GEM的发展及应用 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 4 气体电子倍增器的制作 | 第50-64页 |
| ·GEM膜 | 第50-53页 |
| ·GEM膜的制作 | 第50-52页 |
| ·GEM膜的购买 | 第52-53页 |
| ·阴极的制作 | 第53-54页 |
| ·GEM膜的拉制 | 第54-58页 |
| ·拉制简介 | 第54-56页 |
| ·拉伸步骤 | 第56-58页 |
| ·单层GEM膜的漏电流测试 | 第58-59页 |
| ·测试示意图 | 第58-59页 |
| ·测试结果 | 第59页 |
| ·GEM模型的组装 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-64页 |
| 5 GEM探测器的基本性能的实验研究 | 第64-76页 |
| ·气体增益实验研究 | 第64-70页 |
| ·实验原理及装置 | 第64-66页 |
| ·气体增益随三层GEM膜高压同时改变的变化 | 第66-67页 |
| ·气体增益随三层GEM膜电压和的变化 | 第67-68页 |
| ·气体增益随传输场E_(T1),E_(T2)和收集场E_I的变化 | 第68-69页 |
| ·GEM的有效增益随环境温度的变化而变化 | 第69-70页 |
| ·能量分辨随电压的变化的实验研究 | 第70-72页 |
| ·三级GEM能量分辨率随E_(T2)和E_D的变化 | 第70-72页 |
| ·输出与pad尺寸的关系 | 第72-74页 |
| ·前置放大器输出与pad尺寸的关系 | 第72-74页 |
| ·能量分辨率与pad尺寸的关系 | 第74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 6 三级GEM多路pad数字获取系统的测试 | 第76-84页 |
| ·三级GEM多路pad模型 | 第76-78页 |
| ·数字获取系统 | 第78-80页 |
| ·三级GEM数字获取系统 | 第78-79页 |
| ·触发系统 | 第79页 |
| ·软件系统 | 第79-80页 |
| ·三级GEM多路数字读出测试结果 | 第80-83页 |
| ·扫描方法成像 | 第80-81页 |
| ·一次投影成像 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 7 基于读出条读出的二维位置灵敏X射线气体电子倍增器的研制与测试 | 第84-112页 |
| ·二维位置灵敏GEM探测器的第一个模型 | 第84-88页 |
| ·信号时间特性 | 第85-86页 |
| ·用于模拟读出的实验装置及测试 | 第86-88页 |
| ·三级GEM二维读出条第二个模型 | 第88-90页 |
| ·读出条设计及安排 | 第88-89页 |
| ·信号时间特性 | 第89-90页 |
| ·读出电子学系统的研制 | 第90-97页 |
| ·GEM读出电子学设计 | 第90-92页 |
| ·读出电子学系统组成 | 第92-97页 |
| ·数据获取系统 | 第97-99页 |
| ·读出电子学系统的调试 | 第99-102页 |
| ·前端电子学的安装 | 第99-101页 |
| ·基线测量 | 第101-102页 |
| ·位置分辨的测量 | 第102-107页 |
| ·读出平面感应信号的分布 | 第102-104页 |
| ·位置分辨率 | 第104-105页 |
| ·位置分辨随三层GEM膜电压和改变时的变化 | 第105-106页 |
| ·探测器位置准确度与线性的测试 | 第106-107页 |
| ·关于GEM用于二维模拟读出涉及的讨论 | 第107-110页 |
| ·阳极和阴极读出基于重心法读出的差别 | 第107-108页 |
| ·第三层GEM触发信号的的特性 | 第108页 |
| ·电子学及数据获取系统的触发方式的考虑 | 第108-109页 |
| ·'Crosstalk'的作用 | 第109-110页 |
| ·读出条的接法-浮置与接地 | 第110页 |
| ·本章小结 | 第110-112页 |
| 8 总结与展望 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-116页 |
| 发表文章 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
