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基于OPB总线的NAND Flash控制器设计与验证

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第1章 绪论第10-15页
   ·选题背景第10页
   ·FLASH MEMORY 产品现状及发展趋势第10-13页
     ·FLASH MEMORY 产品现状第10-12页
     ·FLASH MEMORY 产品发展趋势第12-13页
   ·课题来源及研究的目的与意义第13-14页
   ·本文主要研究内容第14-15页
第2章 NAND FLASH 控制器设计的技术基础第15-25页
   ·NAND FLASH 组织结构第15-16页
   ·NAND FLASH 指令操作第16-20页
     ·页编程指令第17-18页
     ·页读取指令第18-19页
     ·块擦除指令第19-20页
   ·NAND FLASH AC 特性参数第20-22页
   ·OPB 总线技术第22-23页
   ·SOC 技术第23-24页
   ·本章小结第24-25页
第3章 NAND FLASH 控制器设计与实现第25-48页
   ·控制器设计的基本要求第25-26页
     ·功能要求第25页
     ·性能要求第25-26页
   ·总线接口模块设计与实现第26-29页
     ·总线接口模块管脚描述第26-27页
     ·总线接口模块总体结构原理第27页
     ·总线接口模块设计第27-29页
   ·控制模块设计与实现第29-47页
     ·主控模块设计与实现第30-38页
     ·ECC 模块设计与实现第38-47页
   ·本章小结第47-48页
第4章 NAND FLASH 控制器的验证第48-64页
   ·验证环境第48-49页
     ·激励模块第48页
     ·BFM第48-49页
     ·TESTCASES第49页
   ·RM 设计第49-59页
     ·DUV 输出信号的AC 特性参数验证第49-55页
     ·DUV 状态机跳转验证第55-59页
   ·ECC 功能验证第59-60页
   ·指令操作功能验证第60-63页
     ·仿真环境第60页
     ·指令操作仿真结果第60-63页
   ·本章小结第63-64页
第5章 NAND FLASH 控制器的应用第64-70页
   ·综合布局布线第64-65页
     ·资源占用分析第64-65页
     ·静态时序分析第65页
   ·控制器的应用环境第65-67页
     ·SSD 电子硬盘第65-66页
     ·SATA 电子硬盘第66-67页
   ·控制器的应用调试第67-69页
     ·调试环境的建立第67-68页
     ·指令功能的调试第68-69页
   ·本章小结第69-70页
总结与展望第70-72页
 工作总结第70-71页
 研究展望第71-72页
参考文献第72-76页
致谢第76-77页
附录A 攻读学位期间所发表的学术论文第77-78页
附录B 攻读学位期间所参加的科研项目第78-79页
附录C ECC 功能验证源代码第79-88页
附录D ECC 查错模块源代码第88-92页

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