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基于低维晶体结构光存储荧光粉的缺陷态调控与发光性能研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第13-43页
    1.1 引言第13页
    1.2 发光材料第13-18页
        1.2.1 发光材料的基本概述第13-14页
        1.2.2 解释发光的主要理论第14-16页
        1.2.3 常见的发光中心第16-18页
    1.3 光存储(电子俘获)发光材料第18-25页
        1.3.1 长余辉发光材料第18-23页
        1.3.2 光激励发光材料第23-25页
    1.4 光存储发光材料的原理及应用第25-38页
        1.4.1 缺陷态第25页
        1.4.2 热释光第25-26页
        1.4.3 长余辉的发光机理模型第26-29页
        1.4.4 光激励发光机理第29-33页
        1.4.5 应用第33-36页
        1.4.6 设计或提高光存储材料发光性能的思路第36-38页
    1.5 低维晶体结构光存储材料的优点第38-40页
    1.6 目前存在的问题与本文的主要研究内容第40-43页
        1.6.1 目前存在的问题第40-41页
        1.6.2 本文的主要研究内容第41-43页
第二章 样品的制备与表征第43-51页
    2.1 实验药品及设备第43-44页
        2.1.1 实验药品第43-44页
        2.1.2 实验设备第44页
    2.2 样品制备第44-45页
    2.3 主要表征手段与设备第45-51页
        2.3.1 物相分析第45页
        2.3.2 荧光光谱分析第45-46页
        2.3.3 吸收光谱分析第46页
        2.3.4 荧光寿命分析第46-47页
        2.3.5 热释光分析第47页
        2.3.6 光激励发光与光激励余辉谱第47-48页
        2.3.7 余辉衰减曲线第48页
        2.3.8 色坐标分析第48-49页
        2.3.9 拉曼光谱第49页
        2.3.10 电子自旋共振第49-51页
第三章 两种低维晶体结构基质材料的结构分析与缺陷态调控第51-79页
    3.1 引言第51-52页
    3.2 基于单一方向通道晶体结构NaAlSiO_4基质的缺陷态调控与发光机理研究第52-64页
        3.2.1 NaAlSiO_4 的相结构分析与态密度计算第52-54页
        3.2.2 NaAlSiO_4:Tb~(3+)的光致发光性能第54-56页
        3.2.3 NaAlSiO_4:Tb~(3+),Bi~(3+)荧光粉的缺陷态调控与光存储性能研究第56-63页
        3.2.4 发光机理第63-64页
        3.2.5 小结第64页
    3.3 基于二维层状晶体结构Ca_2Ga_2GeO_7基质的缺陷态调控与自激发机理研究第64-76页
        3.3.1 Ca_2Ga_2GeO_7的相结构分析与态密度计算第65-68页
        3.3.2 Ca_2Ga_2GeO_7的发光性能研究第68-71页
        3.3.3 Ca_2Ga_2GeO_7荧光粉的缺陷态研究第71-74页
        3.3.4 发光机理第74-75页
        3.3.5 小结第75-76页
    3.4 本章小结第76-79页
第四章 基于Ca_2Ga_2GeO_7基质的绿色光存储荧光粉的设计与发光性能研究第79-89页
    4.1 引言第79-80页
    4.2 Ca_2Ga_2GeO_7:Tb~(3+)样品的物相分析第80页
    4.3 Ca_2Ga_2GeO_7:Tb~(3+)绿色荧光粉的光存储性能研究第80-86页
        4.3.1 长余辉发光性能第80-81页
        4.3.2 热释光分析第81-82页
        4.3.3 光激励长余辉发光性能第82-85页
        4.3.4 浅陷阱再俘获过程研究第85-86页
    4.4 发光机理第86-87页
    4.5 本章小结第87-89页
第五章 基于Ca_2Ga_2GeO_7基质的近红外与紫外光存储荧光粉的设计与发光性能研究第89-111页
    5.1 引言第89-92页
    5.2 Ca_2Ga_2GeO_7:Yb~(3+),Tb~(3+)近红外荧光粉的光存储性能研究第92-101页
        5.2.1 样品的物相分析第93-94页
        5.2.2 近红外长余辉发光性能第94-97页
        5.2.3 近红外光激励长余辉发光性能第97-98页
        5.2.4 载流子重分布机理分析第98-100页
        5.2.5 发光机理第100-101页
        5.2.6 小结第101页
    5.3 Ca_2Ga_2GeO_7:Pb~(2+)紫外荧光粉的光存储性能研究第101-109页
        5.3.1 物相分析第102-103页
        5.3.2 光致发光性能第103-104页
        5.3.3 长余辉发光性能第104-106页
        5.3.4 光激励长余辉发光性能第106-108页
        5.3.5 发光机理第108-109页
        5.3.6 小结第109页
    5.4 本章小结第109-111页
第六章 总结第111-115页
    6.1 结论第111-112页
    6.2 论文创新点第112-113页
    6.3 展望第113-115页
致谢第115-117页
参考文献第117-137页
附录 :攻读博士学位期间发表论文及获得奖励第137-138页

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