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硅基光子无源集成器件以及混合集成平台的研究

致谢第1-6页
摘要第6-8页
ABSTRACT第8-10页
缩写清单第10-11页
目次第11-13页
第一章 绪论第13-23页
   ·硅光子集成器件的发展现状及前景第13-19页
   ·本论文的主要内容及创新点第19-23页
第二章 光波导数值模拟方法第23-37页
   ·平板波导基本理论第23-27页
     ·波动方程第23-25页
     ·TE模第25-27页
     ·TM模第27页
   ·波导模式的数值解法第27-34页
     ·完美匹配边界条件第27-29页
     ·有限差分波导模式分析器第29-32页
     ·有限差分波束传播法第32-34页
   ·时域有限差分方法第34-37页
第三章 硅基光子器件制作工艺及测试平台第37-53页
   ·整体工艺流程简介第37-39页
   ·薄膜沉积:等离子增强化学气相沉积(PECVD)第39-41页
   ·电子束光刻(EBL)第41-46页
   ·干法刻蚀—反应离子刻蚀第46-49页
   ·垂直耦合测试系统第49-53页
第四章 超小型硅基光集成耦合器第53-63页
   ·背景简介第53-55页
   ·高效非均匀光栅耦合器第55-59页
     ·光栅理论基础第55-56页
     ·干法刻蚀迟滞效应第56-57页
     ·器件设计制作及测试第57-59页
   ·狭缝波导与条形波导的无损耦合器第59-63页
     ·设计与分析第59-60页
     ·器件制作及测试第60-63页
第五章 硅波导器件的偏振非相关方案第63-81页
   ·背景简介第63-64页
   ·基于三明治波导的偏振非相关环形谐振器第64-66页
   ·基于一维光栅的偏振分束器第66-76页
     ·理论设计第67-69页
     ·制作,测试以及第一个样品的结果第69-72页
     ·带有布拉格反射镜的PBS第72-76页
   ·超小型偏振旋转器第76-81页
     ·简介第76页
     ·分析与设计第76-78页
     ·制造误差分析第78-81页
第六章 新型硅基有源器件混合集成平台第81-99页
   ·背景简介第81-84页
   ·化学物理抛光第84-88页
   ·基于纯INP基片的侧向外延生长第88-91页
   ·基于INP种子层的侧向外延生长第91-93页
   ·混合集成平台的数值分析第93-99页
第七章 总结与展望第99-103页
   ·研究工作总结第99-100页
   ·未来工作展望第100-103页
在读博士期间发表的论文第103-105页
参考文献第105-115页

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