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表面阻抗边界条件在时域有限差分算法中的实现

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-12页
    1.1 课题研究背景及意义第8-9页
    1.2 国内外研究现状第9-10页
    1.3 论文研究内容及主要工作第10页
    1.4 论文组织结构第10-12页
第二章 时域有限差分技术第12-26页
    2.1 前言第12页
    2.2 有限差分技术理论第12-17页
        2.2.1 Yee元胞与FDTD的迭代方程第12-13页
        2.2.2 计算域的安排第13-14页
        2.2.3 解的稳定性第14-15页
        2.2.4 吸收边界条件第15页
        2.2.5 平面波的引入第15-17页
    2.3 SIBC的研究第17-25页
        2.3.1 引入表面阻抗边界的必要性第17页
        2.3.2 非色散表面阻抗边界条件第17-21页
        2.3.3 频率色散SIBC第21-23页
        2.3.4 循环校正技术第23-25页
    2.4 本章小结第25-26页
第三章 表面阻抗边界条件在FDTD算法中的实现第26-48页
    3.1 前言第26页
    3.2 平面导体结构的时域表面阻抗第26-35页
        3.2.1 平面导体结构模型第26-30页
        3.2.2 损耗媒质半空间算例分析第30-31页
        3.2.3 立方体模型算例分析第31-35页
    3.3 曲面导体结构的时域表面阻抗第35-47页
        3.3.1 曲面导体结构模型第35-38页
        3.3.2 SIBC公式在时域中的推导第38-39页
        3.3.3 基于解析式建模的目标共形SIBC-FDTD算例验证及分析第39-45页
        3.3.4 复杂目标SIBC-FDTD算例验证及分析第45-47页
    3.4 本章小结第47-48页
第四章 有耗介质涂覆金属目标电磁散射的SIBC-FDTD分析第48-64页
    4.1 前言第48页
    4.2 电磁波垂直入射薄涂层的SIBC-FDTD方法分析第48-54页
        4.2.1 薄层涂覆导体的时域SIBC第48-50页
        4.2.2 SIBC在FDTD方法中的实现第50-52页
        4.2.3 电磁波垂直入射的数值算例第52-54页
    4.3 电磁波斜入射涂覆导体的SIBC-FDTD方法分析第54-63页
        4.3.1 电磁波斜入射涂覆导体的时域SIBC表达式第54-58页
        4.3.2 SIBC公式在FDTD中的实现第58-60页
        4.3.3 电磁波斜入射的数值算例第60-62页
        4.3.4 复杂模型算例分析第62-63页
    4.4 本章小结第63-64页
第五章 色散媒质涂覆金属目标电磁散射的SIBC-FDTD分析第64-76页
    5.1 前言第64页
    5.2 导体表面色散媒质涂层的表面阻抗模型第64-65页
    5.3 色散涂层的SIBC在FDTD中的实现第65-71页
        5.3.1 频域中的SIBC第65-66页
        5.3.2 时域中的表面阻抗边界条件第66-68页
        5.3.3 SIBC在FDTD中的实现第68-71页
    5.4 算例验证和分析第71-74页
        5.4.1 反射系数的数值模拟第71-73页
        5.4.2 二维方柱算例第73-74页
    5.5 本章小结第74-76页
第六章 总结与展望第76-78页
    6.1 本文工作总结第76页
    6.2 后续工作展望第76-78页
致谢第78-80页
附录:卷积的详细计算过程第80-82页
参考文献第82-84页

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