摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第1章 绪论 | 第12-21页 |
1.1 引言 | 第12页 |
1.2 高温无铅电子封装互连工艺的研究进展 | 第12-16页 |
1.2.1 纳米烧结技术 | 第13页 |
1.2.2 瞬时液相烧结技术 | 第13-14页 |
1.2.3 改进的高温无铅钎料 | 第14-16页 |
1.3 影响焊点可靠性的因素 | 第16-17页 |
1.4 钎料/镀层界面反应 | 第17-19页 |
1.4.1 SnAgCu系钎料与镀层的界面反应 | 第17-18页 |
1.4.2 AuSn钎料与镀层的界面反应 | 第18-19页 |
1.5 课题研究目的及内容 | 第19-21页 |
第2章 试验材料及方法 | 第21-26页 |
2.1 引言 | 第21页 |
2.2 钎料的制备 | 第21-22页 |
2.2.1 实验材料 | 第21页 |
2.2.2 实验方法 | 第21-22页 |
2.3 焊点的制备 | 第22-23页 |
2.3.1 Chip/Ni/Au/SAC0705BiNi/Ni/Cu焊点制备 | 第22页 |
2.3.2 Chip/Au/Au80Sn20/Au/Ni/Cu焊点的制备 | 第22-23页 |
2.4 时效实验 | 第23页 |
2.5 金相试样的制备 | 第23-24页 |
2.6 界面IMC层及镀层厚度测量 | 第24页 |
2.7 焊点剪切强度的测试 | 第24-25页 |
2.8 本章小结 | 第25-26页 |
第3章 Chip/Au/Au80Sn20/Au/Ni/Cu微焊点抗时效分析 | 第26-41页 |
3.1 引言 | 第26页 |
3.2 热压焊后界面演变分析 | 第26-30页 |
3.2.1 热压焊工艺与镀层的消耗 | 第26-28页 |
3.2.2 热压焊工艺与界面IMC的生长 | 第28-29页 |
3.2.3 界面金属间化合物层在热压焊过程中生长指数分析 | 第29-30页 |
3.3 时效对Au/Au80Sn20/Au/Ni/Cu焊点界面微观组织的影响 | 第30-38页 |
3.3.1 镀Au层在时效过程中的消耗速率 | 第30-32页 |
3.3.2 界面金属间化合物层在时效过程中的生长速率 | 第32-35页 |
3.3.3 焊点界面IMC层的演变 | 第35-38页 |
3.4 热压焊工艺对Au/Au80Sn20/Au/Ni/Cu组织演变的影响 | 第38-40页 |
3.4.1 热压焊工艺对镀层消耗速率的影响 | 第38-39页 |
3.4.2 热压焊工艺对界面IMC层消耗速率的影响 | 第39-40页 |
3.5 本章小结 | 第40-41页 |
第4章 Chip/ENIG/SAC0705BiNi/Ni/Cu微焊点抗时效分析 | 第41-54页 |
4.1 引言 | 第41-42页 |
4.2 热压焊工艺对焊点剪切性能的影响 | 第42-43页 |
4.3 时效对Chip/ENIG/SAC0705-Bi-Ni/Ni/Cu微观组织的影响 | 第43-49页 |
4.3.1 SAC0705BiNi与Ni基板界面反应 | 第43-46页 |
4.3.2 SAC0705BiNi与镀ENIG基板的界面反应 | 第46-49页 |
4.4 时效过程中界面IMC层生长速率 | 第49-51页 |
4.5 两种热压焊接头抗时效性能分析 | 第51-52页 |
4.5.1 热压焊接头界面IMC层生长行为 | 第51-52页 |
4.5.2 热压焊接接头的剪切强度 | 第52页 |
4.6 本章小结 | 第52-54页 |
结论 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-60页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第60-61页 |
致谢 | 第61页 |