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基于错误纠正码的抗单粒子翻转存储器加固设计研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第1章 绪论第13-35页
    1.1 课题背景及研究意义第13-15页
    1.2 存储器中的单粒子翻转第15-20页
        1.2.1 辐射环境第16-17页
        1.2.2 存储器中单粒子翻转的产生第17-20页
    1.3 抗单粒子翻转存储器加固技术研究现状第20-30页
        1.3.1 工艺级加固第20-21页
        1.3.2 版图级加固第21页
        1.3.3 电路级加固第21-22页
        1.3.4 系统级加固第22-30页
    1.4 相关研究存在的不足第30-32页
    1.5 论文主要研究内容第32-35页
第2章 低冗余矩阵码加固方法研究第35-57页
    2.1 引言第35页
    2.2 低冗余矩阵码构造方法第35-49页
        2.2.1 多位错误探测方法第36-38页
        2.2.2 低冗余矩阵码设计第38-45页
        2.2.3 纠错算法第45-47页
        2.2.4 可纠正错误模式第47-49页
    2.3 功能验证及纠错能力分析第49-52页
        2.3.1 功能验证第49-50页
        2.3.2 纠错能力分析第50-52页
    2.4 存储器加固设计及电路性能分析第52-55页
        2.4.1 电路设计第52-54页
        2.4.2 性能分析第54-55页
    2.5 本章小结第55-57页
第3章 低冗余正交拉丁码加固方法研究第57-81页
    3.1 引言第57-58页
    3.2 正交拉丁码构造规则第58-63页
        3.2.1 正交拉丁码奇偶校验矩阵第58-61页
        3.2.2 一步大数逻辑译码算法第61-63页
    3.3 低冗余扩展正交拉丁码构造方法第63-73页
        3.3.1 低冗余扩展OLS码奇偶校验矩阵的构造第63-67页
        3.3.2 功能验证及电路性能分析第67-73页
    3.4 DEC-TAEC低冗余OLS码构造方法第73-79页
        3.4.1 DEC-TAEC低冗余OLS码的构造第73-75页
        3.4.2 DEC-TAEC低冗余OLS码译码算法第75-77页
        3.4.3 功能验证及电路性能分析第77-79页
    3.5 本章小结第79-81页
第4章 SEC-DED码的错误探测优化研究第81-105页
    4.1 引言第81-82页
    4.2 汉明类似码第82-86页
        4.2.1 线性分组码的码字结构第82-84页
        4.2.2 SEC-DED码的构造规则第84-86页
    4.3 SEC-DED-TAED码构造方法第86-93页
        4.3.1 奇重量奇偶校验矩阵构造规则第86-87页
        4.3.2 奇偶校验矩阵搜索算法第87-89页
        4.3.3 译码算法第89-90页
        4.3.4 电路设计及性能分析第90-93页
    4.4 基于错误探测码的故障安全加固方法第93-103页
        4.4.1 故障安全加固方案第93-94页
        4.4.2 关键信息位检测方法第94-101页
        4.4.3 可检测率分析第101-103页
    4.5 本章小结第103-105页
结论第105-107页
参考文献第107-118页
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果第118-122页
致谢第122-123页
个人简历第123页

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