| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 石墨烯材料 | 第11-14页 |
| 1.1.1 石墨烯 | 第11-12页 |
| 1.1.2 氧化石墨烯 | 第12-14页 |
| 1.2 二维类石墨烯材料 | 第14-21页 |
| 1.2.1 硅烯和二碳化硅 | 第14-16页 |
| 1.2.2 过渡金属硫族化合物 | 第16-19页 |
| 1.2.3 二维类石墨烯材料的范德华异质结构 | 第19-21页 |
| 1.3 本文的研究目的和主要工作 | 第21-23页 |
| 第二章 计算模拟方法 | 第23-28页 |
| 2.1 第一性原理计算 | 第23页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第23-25页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第24页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第24页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第24-25页 |
| 2.2.4 自洽计算 | 第25页 |
| 2.3 平面波和赝势 | 第25-26页 |
| 2.4 过渡态搜索 | 第26页 |
| 2.5 VASP软件包 | 第26-28页 |
| 第三章 对二硫化钨和氧化石墨烯范德华异质结构电子性质的调控 | 第28-42页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 计算细节 | 第29-30页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第30-40页 |
| 3.3.1 二硫化钨/氧化石墨烯异质结的构型及结构稳定性 | 第30-35页 |
| 3.3.2 对二硫化钨/氧化石墨烯异质结能带的调控 | 第35-39页 |
| 3.3.3 对二硫化钨/氧化石墨烯异质结功函的调控 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 石墨烯作为理想基底催化合成均匀氮掺杂多孔石墨烯的理论设计 | 第42-56页 |
| 4.1 引言 | 第42-44页 |
| 4.2 计算细节 | 第44页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第44-55页 |
| 4.3.1 无衬底和用Au(111)表面作为催化基底 | 第45-49页 |
| 4.3.2 用石墨烯和其他二维材料作为催化基底 | 第49-53页 |
| 4.3.3 二维材料作为催化基底时电子性质的研究 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 过渡金属硫族化合物作为钾离子电池负极材料的理论研究 | 第56-68页 |
| 5.1 引言 | 第56-57页 |
| 5.2 计算细节 | 第57-58页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第58-67页 |
| 5.3.1 钾离子在单层过渡金属硫族化合物表面的吸附和迁移 | 第58-61页 |
| 5.3.2 钾离子在过渡金属硫族化合物层间的吸附和迁移 | 第61-64页 |
| 5.3.3 钾离子电池的开路电压与理论容量的计算 | 第64-65页 |
| 5.3.4 二硫化钒作为不同碱金属离子电池负极材料的计算和比较 | 第65-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 总结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-87页 |
| 攻读学位期间公开发表学术论文情况 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
