| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 CdSe、ZnSe半导体纳米粒子的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.1 CdSe、ZnSe纳米粒子的性质 | 第11-12页 |
| 1.2.2 CdSe/ZnSe半导体纳米粒子的制备方法 | 第12-13页 |
| 1.3 石墨烯的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3.1 石墨烯的性质 | 第13页 |
| 1.3.2 氧化石墨烯和石墨烯的制备方法 | 第13-14页 |
| 1.4 CdSe/ZnSe半导体纳米粒子-石墨烯复合材料 | 第14-16页 |
| 1.5 非线性光学简介 | 第16-18页 |
| 1.5.1 非线性光学简介 | 第16页 |
| 1.5.2 三阶非线性原理 | 第16-17页 |
| 1.5.3 Z扫描测试 | 第17-18页 |
| 1.6 本文的研究内容 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 半导体纳米粒子CdSe、ZnSe的制备及其三阶非线性光学特性 | 第24-38页 |
| 2.1 引言 | 第24-25页 |
| 2.2 CdSe纳米粒子的制备及其三阶非线性光学性质 | 第25-32页 |
| 2.2.1 实验药品 | 第25-26页 |
| 2.2.2 表征仪器 | 第26页 |
| 2.2.3 CdSe纳米粒子的制备 | 第26页 |
| 2.2.4 Z扫描测试 | 第26页 |
| 2.2.5 CdSe纳米粒子的形貌和结构表征 | 第26-29页 |
| 2.2.6 CdSe纳米粒子的三阶非线性光学性质 | 第29-32页 |
| 2.3 ZnSe纳米粒子的制备及其三阶非线性光学性质 | 第32-37页 |
| 2.3.1 实验药品 | 第32页 |
| 2.3.2 表征仪器 | 第32-33页 |
| 2.3.3 ZnSe纳米粒子的制备 | 第33页 |
| 2.3.4 Z扫描测试 | 第33页 |
| 2.3.5 ZnSe纳米粒子的形貌和结构表征 | 第33-34页 |
| 2.3.6 ZnSe纳米粒子的三阶非线性光学性质 | 第34-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第三章 CdSe和ZnSe纳米粒子-石墨烯复合材料的制备及非线性光学特性 | 第38-54页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 CdSe纳米粒子-还原氧化石墨烯的制备与表征 | 第39-46页 |
| 3.2.1 实验药品 | 第39页 |
| 3.2.2 表征仪器 | 第39-40页 |
| 3.2.3 实验方法 | 第40-41页 |
| 3.2.4 Z扫描测试 | 第41页 |
| 3.2.5 CdSe纳米粒子-还原氧化石墨烯复合材料的形貌和结构表征 | 第41-46页 |
| 3.3 ZnSe纳米粒子-还原氧化石墨烯复合材料的制备与表征 | 第46-50页 |
| 3.3.1 实验药品 | 第46-47页 |
| 3.3.2 表征仪器 | 第47页 |
| 3.3.3 实验方法 | 第47页 |
| 3.3.4 Z扫描测试 | 第47-48页 |
| 3.3.5 ZnSe纳米粒子-还原氧化石墨烯复合材料的形貌和结构表征 | 第48-50页 |
| 3.4 CdSe/ZnSe纳米粒子-还原氧化石墨烯复合材料的三阶非线性光学性质 | 第50-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 第四章 结论与展望 | 第54-56页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
