| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第8-11页 |
| 1.2 氧化铝和碳化硅简介 | 第11-13页 |
| 1.3 等离子体及干法蚀刻技术简介 | 第13-15页 |
| 1.4 氧化铝干法蚀刻的研究进展 | 第15-18页 |
| 1.5 碳化硅干法蚀刻的研究进展 | 第18-20页 |
| 1.6 国内外研究现状分析 | 第20-21页 |
| 1.7 本课题主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 实验材料与实验方法 | 第22-27页 |
| 2.1 实验药品及材料 | 第22-23页 |
| 2.2 实验仪器及表征方法 | 第23-24页 |
| 2.3 实验方法 | 第24-26页 |
| 2.3.1 SiC单晶的清洗 | 第24页 |
| 2.3.2 Al_2O_3单晶的清洗 | 第24-25页 |
| 2.3.3 腔体等离子体均匀性测试方法 | 第25-26页 |
| 2.4 实验方案流程 | 第26-27页 |
| 第3章 等离子体发生器腔体等离子体均匀性研究 | 第27-36页 |
| 3.1 利用石墨为研究对象进行均匀性研究 | 第27-32页 |
| 3.2 利用云母为研究对象进行均匀性研究 | 第32-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 等离子处理对Al_2O_3表面结构的影响作用研究 | 第36-51页 |
| 4.1 低功率等离子体处理对Al_2O_3表面结构的影响作用研究 | 第36-38页 |
| 4.1.1 辐照时间和压强的的影响作用 | 第37-38页 |
| 4.2 高功率等离子处理对Al_2O_3表面结构的影响作用研究 | 第38-44页 |
| 4.2.1 压强的影响 | 第39-40页 |
| 4.2.2 辐照时间的影响 | 第40-42页 |
| 4.2.3 功率的影响 | 第42-44页 |
| 4.3 高温退火处理对Al_2O_3表面结构的影响作用研究 | 第44-49页 |
| 4.3.1 等离子处理前退火的影响 | 第44-47页 |
| 4.3.2 等离子处理后退火的影响 | 第47-49页 |
| 4.4 等离子处理影响Al_2O_3表面结构的机理探讨 | 第49-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 等离子体处理对SiC表面结构影响作用的初步研究 | 第51-61页 |
| 5.1 功率的影响 | 第51-52页 |
| 5.2 辐照时间的影响 | 第52-54页 |
| 5.3 间歇辐照的影响 | 第54-57页 |
| 5.3.1 功率为 6.5 W时累积效应的影响 | 第54-55页 |
| 5.3.2 功率为 18 W时累积效应的影响 | 第55-57页 |
| 5.4 后退火对等离子体处理的SiC表面结构的影响作用研究 | 第57-59页 |
| 5.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
