| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 引言 | 第16-18页 |
| 1.2 一维纳米材料与纳米结构的简介 | 第18-19页 |
| 1.3 一维半导体纳米材料的制备 | 第19-22页 |
| 1.3.1 气相法 | 第19-21页 |
| 1.3.2 液相法 | 第21页 |
| 1.3.3 模板法 | 第21-22页 |
| 1.4 Ⅱ-Ⅵ族一维半导体纳米材料的应用 | 第22-26页 |
| 1.4.1 纳米光电探测器 | 第22-23页 |
| 1.4.2 纳米传感器 | 第23-24页 |
| 1.4.3 纳米太阳能电池 | 第24-25页 |
| 1.4.4 纳米存储器 | 第25-26页 |
| 1.5 本课题的研究背景及选题意义 | 第26-28页 |
| 第二章 实验材料和仪器设备 | 第28-37页 |
| 2.1 实验所用材料及药品 | 第28页 |
| 2.2 实验用到的仪器和设备 | 第28-37页 |
| 2.2.1 材料的合成与测试和制备器件所需仪器 | 第29-33页 |
| 2.2.2 材料表征所用到的设备 | 第33-37页 |
| 第三章 p型ZnTe：Ga纳米线的可控掺杂及表征 | 第37-50页 |
| 3.1 p型ZnTe：Ga纳米线的合成 | 第37-38页 |
| 3.2 p型ZnTe：Ga纳米线的结构表征 | 第38-41页 |
| 3.3 p型ZnTe：Ga纳米线的电学特性表征 | 第41-48页 |
| 3.3.1 p型ZnTe：Ga纳米线底栅场效应器件 | 第42页 |
| 3.3.2 基于单根ZnTe：Ga纳米线的场效应器件的制备 | 第42-44页 |
| 3.3.3 基于ZnTe：Ga纳米线的场效应器件的电学特性 | 第44-48页 |
| 3.4 ZnTe：Ga纳米线对光的响应特性表征 | 第48-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 基于p型ZnTe：Ga纳米线/石墨烯的肖特基结器件及其应用 | 第50-56页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 基于ZnTe：GaNW/graphene肖特基结的光电探测器的制备 | 第50-52页 |
| 4.3 ZnTe：GaNW/graphene肖特基光电探测器的光电性能表征 | 第52-53页 |
| 4.4 ZnTe：Ga NW/graphene肖特基光电探测器的光学特性分析 | 第53-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 金颗粒修饰ZnTe纳米线的合成及其光电特性 | 第56-64页 |
| 5.1 引言 | 第56页 |
| 5.2 表面等离子体共振(SPR)效应 | 第56页 |
| 5.3 溶液法合成AuNPs修饰的ZnTe纳米线 | 第56-57页 |
| 5.4 AuNPs修饰ZnTe纳米线的表征 | 第57-60页 |
| 5.5 基于Au：ZnTe纳米线的光探测器件 | 第60-63页 |
| 5.5.1 基于Au：ZnTe纳米线的光电探测器的制备 | 第60-61页 |
| 5.5.2 修饰AuNPs前后ZnTe纳米线的光电性能的对比 | 第61-63页 |
| 5.6 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 全文总结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第71页 |
