| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 外太空辐射环境概述 | 第11-12页 |
| 1.2 电子器件辐射效应简介 | 第12-13页 |
| 1.3 二氧化硅概述 | 第13-15页 |
| 1.4 铁电材料概述 | 第15-20页 |
| 1.4.1 铁电材料简介 | 第15-18页 |
| 1.4.2 铁电存储器简介 | 第18-19页 |
| 1.4.3 铁电材料的辐射效应的研究进展 | 第19-20页 |
| 1.5 选题依据与研究内容 | 第20-22页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第20-21页 |
| 1.5.2 本文研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 研究方法简介 | 第22-34页 |
| 2.1 分子动力学方法 | 第22-27页 |
| 2.1.1 MD方法基本原理与数值求解方法 | 第22-24页 |
| 2.1.2 MD方法中的势函数简介 | 第24-25页 |
| 2.1.3 MD模拟中的系综与周期性边界条件 | 第25-26页 |
| 2.1.4 分子体系性质的计算 | 第26-27页 |
| 2.2 第一性原理分子动力学方法 | 第27-32页 |
| 2.2.1 密度泛函理论以及交换关联泛函 | 第28-30页 |
| 2.2.2 基组简介 | 第30-31页 |
| 2.2.3 赝势简介 | 第31页 |
| 2.2.4 几种第一性原理分子动力学方法简介 | 第31-32页 |
| 2.3 Monte-Carlo方法简介 | 第32页 |
| 2.4 模拟软件简介 | 第32-34页 |
| 2.4.1 纯分子动力学模拟软件LAMMPS | 第32-33页 |
| 2.4.2 第一性原理计算软件CP2K | 第33页 |
| 2.4.3 Monte-Carlo模拟软件SRIM | 第33-34页 |
| 第3章 栅氧层辐射损伤的分子动力学模拟 | 第34-51页 |
| 3.1 Au离子入射SiO_2薄膜的Monte-Carlo模拟 | 第34-36页 |
| 3.2 非晶态SiO_2薄膜辐射损伤过程的MD模拟 | 第36-45页 |
| 3.2.1 势函数的选取 | 第36-39页 |
| 3.2.2 势函数验证 | 第39-42页 |
| 3.2.3 非晶态SiO_2中反冲原子级联碰撞的MD模拟 | 第42-45页 |
| 3.3 非晶态SiO_2薄膜辐射损伤的AIMD计算 | 第45-49页 |
| 3.3.1 非晶态SiO_2薄膜AIMD模拟中计算参数的设定 | 第45-46页 |
| 3.3.2 非晶态SiO_2薄膜中反冲原子级联碰撞的AIMD模拟 | 第46-47页 |
| 3.3.3 缺陷对非晶态SiO_2电子态密度的影响 | 第47-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 BaTiO_3薄膜中反冲原子级联碰撞的AIMD模拟 | 第51-64页 |
| 4.1 计算参数的设置 | 第51-57页 |
| 4.1.1 BaTiO_3晶格常数的优化 | 第51-52页 |
| 4.1.2 BaTiO_3单畴和180°畴的自发极化计算 | 第52-54页 |
| 4.1.3 BaTiO_3单畴和180°畴在外加电场下的翻转 | 第54-57页 |
| 4.2 BaTiO_3薄膜辐射效应计算 | 第57-62页 |
| 4.2.1 BaTiO_3薄膜中反冲原子级联碰撞过程的AIMD模拟 | 第57-59页 |
| 4.2.2 缺陷对BaTiO_3铁电薄膜极化翻转的影响 | 第59-60页 |
| 4.2.3 缺陷对BaTiO_3铁电薄膜电子态密度的影响 | 第60-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 第5章 总结与展望 | 第64-67页 |
| 5.1 工作总结 | 第64-65页 |
| 5.2 研究展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 个人简历、攻读硕士学位期间发表的论文 | 第73页 |
