| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 课题的研究背景及其意义 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN基高压LED概述 | 第11-16页 |
| 1.3 提升GaN基高压LED芯片光电性能的主要方法 | 第16-26页 |
| 1.3.1 影响LED芯片光提取效率的主要因素 | 第16-18页 |
| 1.3.2 提高LED光提取效率的主要方法 | 第18-26页 |
| 1.3.3 提升高压LED光电性能的研究现状 | 第26页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 GaN基高压LED芯片制备 | 第28-40页 |
| 2.1 GaN基LED外延片制备 | 第28-29页 |
| 2.2 GaN基高压LED芯片制备关键工艺 | 第29-32页 |
| 2.3 具有背面反射镜的GaN基高压LED芯片制备 | 第32-39页 |
| 2.3.1 复合反射镜的设计 | 第32-33页 |
| 2.3.2 具有背面反射镜的GaN基高压LED芯片制备 | 第33-38页 |
| 2.3.3 芯片测试 | 第38-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 侧面出光优化仿真 | 第40-48页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 仿真模型建立及结果分析 | 第40-46页 |
| 3.2.1 芯片形状优化 | 第41-43页 |
| 3.2.2 侧面微结构优化 | 第43-46页 |
| 3.2.3 隔离沟槽间距优化 | 第46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 隔离沟槽宽度对GaN基高压LED发光性能的影响 | 第48-53页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 芯片制备 | 第48-50页 |
| 4.3 结果分析 | 第50-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 GaN基高压LED器件的COB封装 | 第53-59页 |
| 5.1 COB封装工艺流程 | 第53页 |
| 5.2 器件封装 | 第53-55页 |
| 5.3 测试与结果分析 | 第55-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 总结与展望 | 第59-61页 |
| 工作总结 | 第59-60页 |
| 工作展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 附件 | 第69页 |
