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基于分等级结构三氧化钨的二氧化氮气体传感器研究

中文摘要第4-7页
abstract第7-10页
第1章 绪论第14-36页
    1.1 引言第14-15页
    1.2 气体传感器第15-24页
        1.2.1 气体传感器历史和分类第15-18页
        1.2.2 氧化物半导体气体传感器主要参数第18-19页
        1.2.3 氧化物半导体气体传感器敏感机理第19-22页
        1.2.4 氧化物半导体气体传感器应用实例第22-24页
    1.3 氧化物半导体敏感材料概述第24-34页
        1.3.1 纳米材料研究进展第24-26页
        1.3.2 纳米材料结构及特性简介第26-28页
        1.3.3 氧化物半导体纳米敏感材料第28-33页
        1.3.4 氧化物半导体纳米敏感材料制备方法第33-34页
    1.4 本文的研究思路及结构第34-36页
第2章 纳米块状WO_3的溶剂热制备及其气敏特性研究第36-45页
    2.1 引言第36页
    2.2 实验部分第36-38页
        2.2.1 材料制备第36-37页
        2.2.2 材料表征第37页
        2.2.3 传感器件制作和测试第37-38页
    2.3 材料表征和分析第38-40页
    2.4 传感器件气敏特性第40-44页
    2.5 本章小结第44-45页
第3章 空心球状WO_3的可控制备及其气敏特性研究第45-54页
    3.1 引言第45页
    3.2 材料制备第45页
    3.3 材料表征第45-49页
    3.4 传感器件气敏特性第49-53页
    3.5 本章小结第53-54页
第4章 花状结构WO_3的可控制备及其气敏特性研究第54-83页
    4.1 引言第54页
    4.2 WO_3花状结构的溶剂热制备及其气敏特性研第54-63页
        4.2.1 材料制备第54-55页
        4.2.2 材料表征第55-58页
        4.2.3 传感器件气敏特性第58-63页
    4.3 WO_3花状结构的水浴制备及其气敏特性研究第63-71页
        4.3.1 材料制备第63-64页
        4.3.2 材料表征第64-67页
        4.3.3 传感器件气敏特性第67-71页
    4.4 WO_3花状结构的酸化制备及其气敏特性研究第71-80页
        4.4.1 材料制备第72页
        4.4.2 材料表征第72-77页
        4.4.3 传感器件气敏特性第77-80页
    4.5 本章小结第80-83页
第5章 WO_3纳米片的锡掺杂及其气敏特性研究第83-94页
    5.1 引言第83页
    5.2 材料制备第83-84页
    5.3 材料表征第84-87页
    5.4 传感器件气敏特性第87-93页
    5.5 本章小结第93-94页
第6章 总结与展望第94-97页
参考文献第97-113页
作者简介及科研成果第113-116页
致谢第116-117页

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