| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 国内外研究进展 | 第8-11页 |
| 1.1.1 半导体量子点的研究进展 | 第8-9页 |
| 1.1.2 GaN、In_xGa_(1-x)N半导体材料的研究进展 | 第9页 |
| 1.1.3 子带间光吸收和带间光吸收的研究进展 | 第9-11页 |
| 1.2 论文内容安排 | 第11-12页 |
| 第二章 理论模型和计算方法 | 第12-18页 |
| 第三章 GaN/In_xGa_(1-x)N/GaN球形核壳量子点中的子带间光吸收 | 第18-29页 |
| 3.1 内建电场对子带间光吸收性质的影响 | 第18-22页 |
| 3.2 子带间光吸收的三元混晶效应 | 第22-24页 |
| 3.3 子带间光吸收的尺寸效应 | 第24-28页 |
| 3.4 小结 | 第28-29页 |
| 第四章 GaN/In_xGa_(1-x)N/GaN球形核壳量子点中的带间光吸收 | 第29-37页 |
| 4.1 内建电场对带间光吸收性质的影响 | 第29-31页 |
| 4.2 带间光吸收的三元混晶效应 | 第31-32页 |
| 4.3 带间光吸收的尺寸效应 | 第32-36页 |
| 4.4 小结 | 第36-37页 |
| 第五章 总结与展望 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 攻读硕士学位期间完成的论文 | 第45页 |
