| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 M相二氧化钒的相变特征与相变机理 | 第11-15页 |
| 1.2.1 二氧化钒的相变特征 | 第11-14页 |
| 1.2.2 二氧化钒的相变机理 | 第14-15页 |
| 1.3 二氧化钒相变特性的调控方法 | 第15-17页 |
| 1.3.1 掺杂对氧化钒结构与性能的影响 | 第15-16页 |
| 1.3.2 应变工程 | 第16-17页 |
| 1.3.3 尺度效应 | 第17页 |
| 1.4 二氧化钒的应用前景 | 第17-19页 |
| 1.4.1 智能窗 | 第17-18页 |
| 1.4.2 光电开关与存储 | 第18页 |
| 1.4.3 非制冷红外探测器 | 第18-19页 |
| 1.5 选题意义与研究内容 | 第19-21页 |
| 1.5.1 选题意义 | 第19-20页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第20页 |
| 1.5.3 论文结构 | 第20-21页 |
| 第二章 掺Ru对二氧化钒结构与相变特性的影响 | 第21-40页 |
| 2.1 薄膜制备 | 第21-24页 |
| 2.1.1 磁控溅射原理 | 第21-22页 |
| 2.1.2 薄膜的制备 | 第22-24页 |
| 2.2 掺Ru二氧化钒薄膜的相变特性 | 第24-29页 |
| 2.3 XRD分析 | 第29-30页 |
| 2.4 Raman分析 | 第30-31页 |
| 2.5 成分与价态(XPS、EDS)分析 | 第31-34页 |
| 2.6 SEM分析 | 第34-35页 |
| 2.7 AFM分析 | 第35-37页 |
| 2.8 掺Ru对二氧化钒薄膜电学性能的影响机制 | 第37-38页 |
| 2.8.1 掺Ru降低二氧化钒相变温度的机理 | 第37页 |
| 2.8.2 降低电阻率的机理分析 | 第37-38页 |
| 2.9 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 衬底温度对掺Ru二氧化钒结构与性能的影响 | 第40-49页 |
| 3.1 薄膜制备 | 第40页 |
| 3.2 衬底温度对电学性能的影响 | 第40-44页 |
| 3.3 XRD分析 | 第44-45页 |
| 3.4 Raman分析 | 第45-46页 |
| 3.5 SEM分析 | 第46-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 Ti-Ru共掺对氧化钒结构与性能的影响 | 第49-61页 |
| 4.1 薄膜制备 | 第49-50页 |
| 4.2 Ti-Ru共掺对氧化钒电学特性影响 | 第50-53页 |
| 4.2.1 电阻率-温度特性分析 | 第50-52页 |
| 4.2.2 Ti-Ru共掺对TCR的影响 | 第52-53页 |
| 4.3 XRD分析 | 第53-54页 |
| 4.4 成分与价态(XPS、EDS)分析 | 第54-56页 |
| 4.5 SEM分析 | 第56-57页 |
| 4.6 AFM分析 | 第57-59页 |
| 4.7 Ti-Ru共掺对二氧化钒薄膜的相变调控机理 | 第59页 |
| 4.8 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论和展望 | 第61-63页 |
| 5.1 结论 | 第61-62页 |
| 5.2 展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第69页 |