| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 忆阻器及其应用概况 | 第10-14页 |
| 1.2.1 忆阻材料的分类与特点 | 第11-12页 |
| 1.2.2 忆阻器的器件化应用 | 第12-14页 |
| 1.3 硅基忆阻材料的研究现况 | 第14-17页 |
| 1.4 论文的主要工作 | 第17-20页 |
| 1.4.1 选题意义 | 第17-18页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 薄膜制备及性能研究方法 | 第20-28页 |
| 2.1 薄膜制备 | 第20-24页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射装置 | 第20-21页 |
| 2.1.2 气体混合及流量控制装置 | 第21-22页 |
| 2.1.3 薄膜制备 | 第22-24页 |
| 2.2 薄膜结构及成份表征方法 | 第24-26页 |
| 2.2.1 激光拉曼光谱仪(Raman) | 第24页 |
| 2.2.2 傅里叶变化红外光谱仪(FTIR) | 第24-25页 |
| 2.2.3 X射线衍射分析仪(XRD) | 第25页 |
| 2.2.4 能谱分析仪(EDS) | 第25-26页 |
| 2.3 薄膜光学及电学性能研究方法 | 第26-27页 |
| 2.3.1 紫外-可见光谱分析仪 | 第26页 |
| 2.3.2 椭圆偏振光谱分析 | 第26页 |
| 2.3.3 电导率测试 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 非晶氧化硅薄膜结构及光学性能研究 | 第28-39页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 氧含量对薄膜结构及光学性能的影响 | 第28-36页 |
| 3.2.1 Raman结果及讨论 | 第28-31页 |
| 3.2.2 FTIR结果及讨论 | 第31-33页 |
| 3.2.3 紫外-可见光谱结果及讨论 | 第33-34页 |
| 3.2.4 椭偏结果及讨论 | 第34-36页 |
| 3.3 退火对薄膜结构的影响 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 金属掺杂非晶氧化硅薄膜结构及光电性能研究 | 第39-53页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 银掺杂对非晶氧化硅薄膜结构及光电性能的影响 | 第39-44页 |
| 4.2.1 XRD结果及讨论 | 第39-40页 |
| 4.2.2 Raman结果及讨论 | 第40-42页 |
| 4.2.3 紫外-可见光谱结果及讨论 | 第42页 |
| 4.2.4 椭偏结果及讨论 | 第42-44页 |
| 4.2.5 电阻率结果及讨论 | 第44页 |
| 4.3 铜掺杂对非晶氧化硅薄膜结构及光电性能的影响 | 第44-49页 |
| 4.3.1 XRD及EDS结果及讨论 | 第45-46页 |
| 4.3.2 Raman结果及讨论 | 第46-47页 |
| 4.3.3 紫外-可见光谱结果及讨论 | 第47-48页 |
| 4.3.4 椭偏结果及讨论 | 第48-49页 |
| 4.3.5 电阻率结果及讨论 | 第49页 |
| 4.4 退火对银、铜掺杂非晶氧化硅薄膜结构的影响 | 第49-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 非晶氧化硅忆阻器电学开关性能初步研究 | 第53-65页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 忆阻器工作原理 | 第53-55页 |
| 5.3 忆阻器结构设计及制备 | 第55-58页 |
| 5.4 忆阻器电学开关性能 | 第58-64页 |
| 5.4.1 Ag/a-Si/ITO | 第58-60页 |
| 5.4.2 Ag/a-SiO_x/ITO | 第60-64页 |
| 5.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 工作总结 | 第65-66页 |
| 6.2 展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第73页 |