| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 片上天线的研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 片上天线国内外研究现状与发展态势 | 第11-16页 |
| 1.2.1 基于CMOS和锗化硅工艺的片上天线 | 第12-15页 |
| 1.2.2 基于砷化镓工艺，运用高阻基底和其他工艺的片上天线 | 第15-16页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第17-19页 |
| 第二章 CMOS工艺以及介质谐振理论 | 第19-27页 |
| 2.1 一般 0.18微米CMOS工艺 | 第19-21页 |
| 2.2 不利于片上天线的特性 | 第21页 |
| 2.3 CMOS工艺片上天线的版图设计 | 第21-22页 |
| 2.4 矩形介质谐振器 | 第22-23页 |
| 2.5 介质谐振天线 | 第23-25页 |
| 2.5.1 矩形介质谐振天线的微带馈电 | 第25页 |
| 2.6 本章小节 | 第25-27页 |
| 第三章 94GHZ微带结构片上天线的设计 | 第27-36页 |
| 3.1 CMOS片上天线关注的性能参数 | 第27-29页 |
| 3.1.1 带宽与片上天线带宽设计的便利 | 第27-28页 |
| 3.1.2 辐射效率以及CMOS工艺对其的影响 | 第28页 |
| 3.1.3 增益：CMOS片上天线普遍较低的指标 | 第28-29页 |
| 3.2 微带圆形贴片片上天线的设计 | 第29-32页 |
| 3.3 二氧化硅层厚度的影响 | 第32-33页 |
| 3.4 CMOS片上天线测试方案 | 第33-35页 |
| 3.5 本章小节 | 第35-36页 |
| 第四章 加载介质块的微带结构片上天线 | 第36-58页 |
| 4.1 加载单个矩形介质块的片上天线 | 第36-44页 |
| 4.1.1 钝化层与胶的厚度与介电常数的影响 | 第38-40页 |
| 4.1.2 加载不同矩形介质块实现端射效果 | 第40-44页 |
| 4.2 加载双矩形介质块的侧射片上天线 | 第44-52页 |
| 4.2.1 双介质谐振的W波段小面积化端射片上天线 | 第49-52页 |
| 4.3 本章小节 | 第52-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 总结 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67-68页 |