| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第15-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-34页 |
| 1.1 太赫兹技术的研究背景 | 第20-23页 |
| 1.1.1 太赫兹器件的进展 | 第20-22页 |
| 1.1.2 太赫兹技术的应用 | 第22-23页 |
| 1.2 太赫兹器件源 | 第23-26页 |
| 1.3 碰撞雪崩渡越时间二极管的研究背景和现状 | 第26-31页 |
| 1.4 本论文的主要工作和内容安排 | 第31-34页 |
| 第二章 SiC基碰撞雪崩渡越时间二极管器件模型及数值仿真方法 | 第34-50页 |
| 2.1 碰撞雪崩渡越时间器件的基本物理过程和结构 | 第34-42页 |
| 2.1.1 IMPATT器件中电荷载流子的高场特性 | 第34-36页 |
| 2.1.2 碰撞离化 | 第36页 |
| 2.1.3 雪崩击穿 | 第36-39页 |
| 2.1.4 基本的IMPATT现象 | 第39-40页 |
| 2.1.5 IMPATT二极管的基本结构和掺杂分布 | 第40-42页 |
| 2.2 Medici模拟软件简介 | 第42-45页 |
| 2.2.1 Medici的基本方程 | 第43-44页 |
| 2.2.2 Medici数值计算过程 | 第44-45页 |
| 2.3 SiC基IMPATT二极管仿真采用的载流子传输模型 | 第45-48页 |
| 2.3.1 漂移扩散模型 | 第45-46页 |
| 2.3.2 能量模型 | 第46-47页 |
| 2.3.3 漂移扩散模型和能量模型的比较 | 第47-48页 |
| 2.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第三章 4H-SiC材料各向异性对4H-SiC基IMPATT二极管性能的影响 | 第50-70页 |
| 3.1 4H-SiC材料各向异性对4H-SiC基IMPATT二极管性能影响的研究意义 | 第50-53页 |
| 3.2 4H-SiC IMPATT二极管的大信号分析 | 第53-56页 |
| 3.3 器件结构和材料参数 | 第56-58页 |
| 3.3.1 仿真采用的器件结构 | 第56页 |
| 3.3.2 仿真中采用的4H-SiC材料参数 | 第56-58页 |
| 3.4 <0001>方向和<1120>方向高低单漂移结构4H-SiC IMPATT二极管静态特性仿真结果 | 第58-61页 |
| 3.5 <0001>方向和<1120>方向高低单漂移结构4H-SiC IMPATT二极管动态特性仿真结果 | 第61-67页 |
| 3.6 本章小结 | 第67-70页 |
| 第四章 温度对4H-SiC IMPATT二极管性能的影响 | 第70-88页 |
| 4.1 温度对4H-SiC IMPATT二极管性能影响的研究背景 | 第70-71页 |
| 4.2 分析方法和材料参数 | 第71-75页 |
| 4.3 工作温度对单漂移4H-SiC雪崩二极管直流和高频特性的影响 | 第75-82页 |
| 4.3.1 单漂移4H-SiC雪崩二极管静态特性随工作温度的变化 | 第75-78页 |
| 4.3.2 单漂移4H-SiC雪崩二极管动态特性随工作温度的变化 | 第78-82页 |
| 4.4 改变p~+nn~-n~+ 结构4H-SiC基IMPATT二极管中的p~+区掺杂浓度对IMPATT二极管性能造成的影响 | 第82-86页 |
| 4.4.1 改变p~+nn~-n~+结构4H-SiC基IMPATT二极管中的p~+区掺杂浓度对IMPATT二极管静态特性造成的影响 | 第82-85页 |
| 4.4.2 改变p~+nn~-n~+结构4H-SiC基IMPATT二极管中的p~+区掺杂浓度对IMPATT二极管动态特性造成的影响 | 第85-86页 |
| 4.5 本章小结 | 第86-88页 |
| 第五章 改进型4H-SiC基IMPATT二极管特性分析 | 第88-96页 |
| 5.1 改进型4H-SiC基IMPATT二极管的研究背景 | 第88-89页 |
| 5.2 改进型IMPATT二极管的器件结构 | 第89-90页 |
| 5.3 改进型高低结构的静态仿真结果 | 第90-91页 |
| 5.4 改进型高低结构的动态仿真结果 | 第91-94页 |
| 5.5 本章小结 | 第94-96页 |
| 第六章 4H-SiC IMPATT器件和6H-SiC IMPATT器件的对比 | 第96-110页 |
| 6.1 6H-SiC基IMPATT二极管的研究背景 | 第96-98页 |
| 6.2 <1100>方向和<0001>方向6H-SiC IMPATT二极管的研究 | 第98-104页 |
| 6.2.1 <11?00>方向和<0001>方向6H-SiC材料参数和器件结构 | 第98-101页 |
| 6.2.2 各向异性对6H-SiC基IMPATT二极管影响的仿真结果 | 第101-104页 |
| 6.3 各向异性对4H-SiC和6H-SiC基IMPATT二极管影响的对比结果 | 第104-105页 |
| 6.4 SiC IMPATT器件的工艺设计 | 第105-107页 |
| 6.5 本章小结 | 第107-110页 |
| 第七章 总结和展望 | 第110-116页 |
| 7.1 研究结论 | 第110-113页 |
| 7.2 研究展望 | 第113-116页 |
| 参考文献 | 第116-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
| 作者简介 | 第128-130页 |
