| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-41页 |
| 1.1 二维材料体系简介 | 第9-23页 |
| 1.1.1 二维体系的特性 | 第9-11页 |
| 1.1.2 单元素二维材料 | 第11-18页 |
| 1.1.3 层状过渡金属碲化物 | 第18-20页 |
| 1.1.4 二维材料异质结的构筑 | 第20-23页 |
| 1.2 范德瓦尔斯外延生长 | 第23-25页 |
| 1.3 拓扑绝缘体和拓扑半金属 | 第25-31页 |
| 1.3.1 2D拓扑绝缘体和3D拓扑绝缘体 | 第25-27页 |
| 1.3.2 3D狄拉克半金属和3D外尔半金属 | 第27-31页 |
| 1.4 极大磁电阻效应与单、双带模型 | 第31-39页 |
| 1.5 论文研究内容及论文结构 | 第39-41页 |
| 第二章 实验技术 | 第41-59页 |
| 2.1 超高真空技术 | 第41-44页 |
| 2.2 低温强磁场技术 | 第44-46页 |
| 2.3 分子束外延技术(MBE) | 第46-49页 |
| 2.4 扫描隧道显微镜技术 | 第49-55页 |
| 2.4.1 STM基本原理 | 第49-51页 |
| 2.4.2 STM基本构造 | 第51-54页 |
| 2.4.3 扫描隧道谱 | 第54页 |
| 2.4.4 针尖制作与处理 | 第54-55页 |
| 2.5 实验仪器介绍 | 第55-56页 |
| 2.6 其它相关表面分析技术 | 第56-57页 |
| 2.7 物理综合性能表征仪 | 第57-59页 |
| 第三章 6H-SiC(0001)上外延Graphene的研究 | 第59-71页 |
| 3.1 背景介绍 | 第59-60页 |
| 3.2 实验方法 | 第60-61页 |
| 3.3 补Si/退火方法制备Graphene/SiC | 第61-66页 |
| 3.4 闪退火方法制备Graphene/SiC | 第66-68页 |
| 3.5 HOPG表面形貌的STM研究 | 第68页 |
| 3.6 本章小结 | 第68-71页 |
| 第四章 Graphene/SiC上外延生长Te膜及其电子结构表征 | 第71-89页 |
| 4.1 背景介绍 | 第71-74页 |
| 4.2 实验方法 | 第74-75页 |
| 4.3 Te膜的制备和其晶格结构的确定 | 第75-83页 |
| 4.4 单层和少层Te膜电子结构的表征 | 第83-85页 |
| 4.5 单层Te膜边缘态的研究 | 第85-87页 |
| 4.6 本章小结 | 第87-89页 |
| 第五章 Graphene/SiC衬底Graphene层数对单层Te膜电子结构的调控与单层Te膜面内p-n结的构筑 | 第89-103页 |
| 5.1 背景介绍 | 第89-90页 |
| 5.2 实验方法 | 第90页 |
| 5.3 高质量单层和少层Te膜纳米带的生长 | 第90-92页 |
| 5.4 衬底Graphene层数对单层Te膜能带的调控 | 第92-99页 |
| 5.4.1 Bufferlayer/SiC上的单层Te膜 | 第93-94页 |
| 5.4.2 单层Graphene/SiC上的单层Te膜 | 第94-95页 |
| 5.4.3 双层Graphene/SiC上的单层Te膜 | 第95-98页 |
| 5.4.4 三层Graphene/SiC上的单层Te膜 | 第98-99页 |
| 5.5 在SiC台阶处实现单层Te膜的面内p-n结 | 第99-101页 |
| 5.6 本章小结 | 第101-103页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-117页 |
| 附录 外尔半金属TaAs输运性质的研究 | 第117-133页 |
| S.1 背景介绍 | 第117-121页 |
| S.2 实验方法 | 第121-122页 |
| S.3 TaAs单晶的负磁阻现象 | 第122-125页 |
| S.4 TaAs单晶的双载流子现象 | 第125-128页 |
| S.5 TaAs单晶中费米面的SdH震荡研究 | 第128-130页 |
| S.6 本章小结 | 第130-131页 |
| 附录参考文献 | 第131-133页 |
| 个人简历以及发表文章目录 | 第133-135页 |
| 致谢 | 第135-138页 |
