| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第14-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-52页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第22-24页 |
| 1.2 碳化硅基外延石墨烯的制备和表征技术 | 第24-33页 |
| 1.2.1 碳化硅基外延石墨烯的生长机理 | 第24-26页 |
| 1.2.2 碳化硅基外延石墨烯的制备工艺路线 | 第26-28页 |
| 1.2.3 碳化硅基外延石墨烯的表征技术 | 第28-33页 |
| 1.3 碳化硅基外延石墨烯的特性 | 第33-35页 |
| 1.3.1 碳化硅基外延石墨烯的结构特性 | 第33-34页 |
| 1.3.2 碳化硅基外延石墨烯的电学性质 | 第34-35页 |
| 1.3.3 碳化硅基外延石墨烯的其他性质 | 第35页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第35-45页 |
| 1.4.1 碳化硅基外延石墨烯的制备理论研究进展 | 第37-41页 |
| 1.4.2 碳化硅基外延石墨烯制备技术的实验研究进展 | 第41-45页 |
| 1.5 碳化硅基外延石墨烯传统制备方法存在的问题 | 第45-49页 |
| 1.5.1 电子学和光学应用对石墨烯的要求 | 第45-47页 |
| 1.5.2 衬底对碳化硅基外延石墨烯的影响 | 第47-48页 |
| 1.5.3 制备工艺对碳化硅基外延石墨烯质量的影响 | 第48页 |
| 1.5.4 传统碳化硅基外延石墨烯制备方法存在的问题 | 第48-49页 |
| 1.5.5 传统碳化硅基外延石墨烯制备方法的改进方向 | 第49页 |
| 1.6 课题的立项依据和内容安排 | 第49-51页 |
| 1.6.1 本研究的立项依据 | 第49-50页 |
| 1.6.2 本研究的内容安排 | 第50-51页 |
| 1.7 本章小结 | 第51-52页 |
| 第二章 SiC基外延石墨烯新型盖帽生长技术研究 | 第52-74页 |
| 2.1 引言 | 第52页 |
| 2.2 封闭石墨空间内外延石墨烯制备技术研究 | 第52-66页 |
| 2.2.2 封闭石墨空间内外延石墨烯的制备工艺 | 第53页 |
| 2.2.3 衬底氢气刻蚀对外延石墨烯质量的影响 | 第53-59页 |
| 2.2.4 封闭空间内外延工艺对石墨烯质量的提升 | 第59-66页 |
| 2.2.5 本节小结 | 第66页 |
| 2.3 改进的face-to-face外延石墨烯技术研究 | 第66-72页 |
| 2.3.1 Face-to-face外延石墨烯技术的优势 | 第66页 |
| 2.3.2 上层face(SiC衬底)接触面的改进 | 第66-67页 |
| 2.3.3 改进的face-to-face外延石墨烯工艺 | 第67-68页 |
| 2.3.4 改进的face-to-face工艺对石墨烯质量的提升 | 第68-72页 |
| 2.3.5 本节小结 | 第72页 |
| 2.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 第三章 高纯SiC基外延石墨烯CCS制备工艺研究 | 第74-100页 |
| 3.1 引言 | 第74-75页 |
| 3.2 高纯碳化硅基外延石墨烯制备 | 第75-77页 |
| 3.2.1 高纯碳化硅衬底 | 第75页 |
| 3.2.2 高纯碳化硅衬底对外延石墨烯质量的影响 | 第75-76页 |
| 3.2.3 高纯碳化硅基外延石墨烯的工艺 | 第76页 |
| 3.2.4 本节小结 | 第76-77页 |
| 3.3 外延工艺对高纯碳化硅衬底外延石墨烯质量的影响 | 第77-97页 |
| 3.3.2 压强对外延石墨烯制备的影响 | 第79-83页 |
| 3.3.3 生长温度对外延石墨烯制备的影响 | 第83-87页 |
| 3.3.4 碳化时间对外延石墨烯制备的影响 | 第87-93页 |
| 3.3.5 硅流对SiC基外延石墨烯制备的影响 | 第93-96页 |
| 3.3.6 本节小结 | 第96-97页 |
| 3.4 高纯衬底外延石墨烯和掺杂衬底外延石墨烯比较 | 第97-99页 |
| 3.5 本章小结 | 第99-100页 |
| 第四章 基于碳离子注入的SiC基外延石墨烯研究 | 第100-122页 |
| 4.1 引言 | 第100页 |
| 4.2 碳化硅衬底碳离子注入 | 第100-104页 |
| 4.2.1 注入离子的选择 | 第101-102页 |
| 4.2.2 实验对照组的设计 | 第102页 |
| 4.2.3 离子注入的trim仿真 | 第102-103页 |
| 4.2.4 本节小结 | 第103-104页 |
| 4.3 基于离子注入碳化硅衬底的外延石墨烯技术研究 | 第104-120页 |
| 4.3.1 离子注入碳化硅基外延石墨烯技术的优势 | 第104页 |
| 4.3.2 离子注入碳化硅基外延石墨烯制备工艺 | 第104-105页 |
| 4.3.3 C离子注入剂量对外延石墨烯质量的影响 | 第105-111页 |
| 4.3.4 C离子注入能量对外延石墨烯质量的影响 | 第111-118页 |
| 4.3.5 C离子注入衬底和非离子注入衬底的外延石墨烯对比研究 | 第118-120页 |
| 4.3.6 本节小结 | 第120页 |
| 4.4 本章小结 | 第120-122页 |
| 第五章 衬底掺杂对外延石墨烯电学特性的影响 | 第122-136页 |
| 5.1 引言 | 第122页 |
| 5.2 碳化硅基外延石墨烯禁带研究 | 第122-125页 |
| 5.2.1 碳化硅基外延石墨烯的禁带特性 | 第122-123页 |
| 5.2.2 碳化硅基外延石墨烯禁带展宽的必要性 | 第123-124页 |
| 5.2.3 碳化硅基外延石墨烯的禁带展宽技术 | 第124页 |
| 5.2.4 本节小结 | 第124-125页 |
| 5.3 衬底掺杂对外延石墨烯电学特性的影响 | 第125-135页 |
| 5.3.1 掺杂杂质的选择 | 第125页 |
| 5.3.2 掺杂衬底外延石墨烯制备工艺 | 第125-126页 |
| 5.3.3 掺杂衬底和非掺杂衬底外延石墨烯对比研究 | 第126-127页 |
| 5.3.4 不同掺杂衬底对外延石墨烯掺杂的影响 | 第127-130页 |
| 5.3.5 不同掺杂衬底对外延石墨烯带隙影响 | 第130-135页 |
| 5.3.6 本节小结 | 第135页 |
| 5.4 本章小结 | 第135-136页 |
| 第六章 SiC衬底上大面积石墨烯CCS制备技术研究 | 第136-146页 |
| 6.1 引言 | 第136页 |
| 6.2 大面积高纯SiC基外延石墨烯CCS制备工艺 | 第136-138页 |
| 6.3 4英寸高纯碳化硅基石墨烯各区域形貌研究 | 第138-145页 |
| 6.3.1 4英寸高纯衬底Si面外延石墨烯中心到边缘形貌变化 | 第138-140页 |
| 6.3.2 4英寸高纯衬底C面外延石墨烯中心到边缘 | 第140页 |
| 6.3.3 的形貌变化 | 第140-142页 |
| 6.3.4 外延石墨烯霍尔迁移率的测试 | 第142-145页 |
| 6.3.5 本节小结 | 第145页 |
| 6.4 本章小结 | 第145-146页 |
| 第七章 结束语 | 第146-150页 |
| 参考文献 | 第150-168页 |
| 致谢 | 第168-170页 |
| 作者简介 | 第170-172页 |
