| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 二维材料研究的兴起 | 第11-14页 |
| 1.2 过渡金属二硫族化合物概述 | 第14-18页 |
| 1.2.1 过渡金属二硫族化合物的结构 | 第16-17页 |
| 1.2.2 过渡金属二硫族化合物：从块材到薄膜 | 第17-18页 |
| 1.3 TMDs之外的硫族层状化合物 | 第18-19页 |
| 1.4 二维材料异质结 | 第19-21页 |
| 1.5 分子束外延制备层状硫族化合物薄膜 | 第21-23页 |
| 1.6 本论文的研究内容与章节安排 | 第23-25页 |
| 第二章 实验技术原理及与主系统兼容的扩展MBE腔的搭建 | 第25-45页 |
| 2.1 超高真空环境 | 第25-26页 |
| 2.2 分子束外延与薄膜生长 | 第26-30页 |
| 2.2.1 分子束外延 | 第26-28页 |
| 2.2.2 薄膜生长 | 第28-30页 |
| 2.3 本论文中涉及的薄膜表征研究技术 | 第30-38页 |
| 2.3.1 扫描隧道显微镜(STM) | 第30-33页 |
| 2.3.2 扫描隧道谱(STS) | 第33-35页 |
| 2.3.3 低能电子衍射(LEED) | 第35-36页 |
| 2.3.4 角分辨光电子能谱(ARPES) | 第36-38页 |
| 2.4 实验设备简介 | 第38-41页 |
| 2.5 与主系统兼容的扩展MBE生长腔的搭建 | 第41-44页 |
| 2.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 双层二硒化钯薄膜的外延生长与物性调控 | 第45-63页 |
| 3.1 研究背景 | 第45-48页 |
| 3.1.1 二硒化钯：独特的五边形原子结构的层状材料 | 第45-46页 |
| 3.1.2 二硒化钯：优异的电学性能和输运特性 | 第46-48页 |
| 3.2 碳化硅上石墨烯基底 | 第48-51页 |
| 3.3 PdSe_2薄膜的MBE生长 | 第51-52页 |
| 3.4 外延PdSe_2薄膜的形貌与电子结构 | 第52-55页 |
| 3.4.1 外延PdSe_2薄膜的形貌与原子结构 | 第52-54页 |
| 3.4.2 双层PdSe_2薄膜的电子结构 | 第54-55页 |
| 3.5 PdSe_2薄膜在单双层石墨烯衬底上的电子结构 | 第55-58页 |
| 3.6 PdSe_2nanoribbon的形成及其生长模式 | 第58-60页 |
| 3.7 本章小结 | 第60-63页 |
| 第四章 二碲化钯薄膜的分子束外延生长 | 第63-75页 |
| 4.1 研究背景 | 第63-65页 |
| 4.2 PdTe_2薄膜的MBE生长 | 第65-66页 |
| 4.3 外延PdTe_2薄膜的STM形貌表征 | 第66-68页 |
| 4.4 PdTe_2薄膜的LEED和Raman光谱分析 | 第68-69页 |
| 4.5 外延PdTe_2薄膜的能带结构 | 第69-71页 |
| 4.6 PdTe_2薄膜的大气稳定性以及STO(100)上外延生长PdTe_2薄膜 | 第71-73页 |
| 4.6.1 PdTe_24薄膜的大气稳定性 | 第71-72页 |
| 4.6.2 STO(100)上外延生长PdTe_2薄膜 | 第72-73页 |
| 4.7 本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 单层三碲化铈薄膜的电荷密度波调制 | 第75-87页 |
| 5.1 研究背景 | 第75-78页 |
| 5.1.1 电荷密度波 | 第75-77页 |
| 5.1.2 三碲化铈块体的结构特点 | 第77-78页 |
| 5.2 单层三碲化铈薄膜的外延生长 | 第78-79页 |
| 5.3 单层三碲化铈薄膜的形貌与CDW特性 | 第79-81页 |
| 5.4 三碲化铈薄膜在石墨烯基底上的取向 | 第81-82页 |
| 5.5 单层三碲化铈的CDW机制与能带结构 | 第82-85页 |
| 5.6 本章小结 | 第85-87页 |
| 第六章 总结与展望 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-101页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
